[發明專利]太陽能硅片制程花籃在審
| 申請號: | 201310550082.2 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN103545233A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 盧韋至 | 申請(專利權)人: | 中電電氣(揚州)光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 揚州蘇中專利事務所(普通合伙) 32222 | 代理人: | 王玉霞 |
| 地址: | 211400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能 硅片 花籃 | ||
技術領域
本發明專利涉及一種太陽能硅片制程花籃,屬于太陽能電池制備工具技術領域。
背景技術
目前在太陽能電池行業領域內,對硅片表面進行絨面處理的工藝,按其化學性質可以分為酸性制絨和堿性制絨這兩種方法。在堿性制絨的過程中,要先把硅片放入花籃里,再將硅片和花籃整體放入到堿藥槽中,使硅片與堿液反應,當硅片表面的絨面達到工藝要求時,硅片和花籃整體取出。在酸性制絨法處理硅片的過程中,同樣要把裝有硅片的花籃一同放入酸藥槽中浸泡清洗,待清洗完成后將花籃取出。現有用于太陽能電池制程的花籃在于硅片2接觸的地方通常采取溝槽式的設計,示意圖請見圖1。如圖2所描述,不論卡槽的長短,在濕法工藝中只要花籃與硅片浸泡在化學液體內,硅片就會吸附在花籃卡槽1邊緣上,讓工藝均勻性降低,造成卡槽痕3。圖3顯示硅片在制程中因吸附花籃卡槽而造成的卡槽痕。根據不同的花籃卡槽設計,就會造成對應的卡槽痕3。
發明內容
本發明的目的是提供了一種太陽能硅片制程花籃,設計巧妙,硅片與花籃之間為點接觸,解決了硅片與卡槽面接觸或線接觸造成的卡槽痕的問題。
本發明的目的是通過以下技術方案實現的,太陽能硅片制程花籃,花籃上設有卡槽,卡槽的形狀為弧形,硅片與花籃卡槽之間為點接觸。
進一步地,所述花籃橫軸卡槽數量為1-300。
進一步地,所述卡槽與硅片側邊接觸點的個數為1-45。
本發明具有以下有益效果:藉由弧形的卡槽設計來回避硅片吸附卡槽邊緣的問題,如此在卡槽內的硅片即使稍微移動,也可確保不會吸附在卡槽邊緣造成卡槽痕。
附圖說明
圖1是現有技術硅片與花籃卡槽的示意圖;
圖2是現有技術硅片吸附花籃卡槽邊緣的示意圖;
圖3是現有技術因硅片吸附花籃造成的卡槽痕范例的示意圖;
圖4是本發明太陽能硅片制程花籃卡槽與硅片的結構示意圖;
圖中:1花籃卡槽、2硅片、3卡槽痕。
具體實施方式
下面通過實施例,并結合附圖,對本發明作進一步具體的說明。
如圖4所示,太陽能硅片制程花籃,花籃上設有卡槽,所述卡槽的形狀為弧形,硅片與花籃卡槽之間為點接觸。
花籃橫軸卡槽數量為1-300。
花籃卡槽1與硅片2側邊接觸點的個數為1-45。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





