[發(fā)明專利]一種柔性基板的剝離方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310549945.4 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN104637852B | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱少鵬;敖偉;陳紅;黃秀頎 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228 | 代理人: | 朱振德 |
| 地址: | 215300 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 柔性 剝離 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種柔性基板的剝離方法。該方法包括:A、在硬質(zhì)基板上形成非結(jié)晶狀的離型層,該離型層由受熱后可形成片狀結(jié)晶的材料制成;B、在所述離型層上形成所述柔性基板;C、在所述柔性基板上制作電子或光學器件;D、對所述離型層加熱,使所述離型層轉(zhuǎn)變?yōu)槿菀讋冸x的層狀結(jié)構(gòu),將所述柔性基板從硬質(zhì)基板上剝離。本發(fā)明的柔性基板的剝離方法,利用了離型層材料在受熱后會形成片狀結(jié)晶的特性,在柔性基板上制作完電子或光學器件后,通過對離型層加熱,使離型層轉(zhuǎn)變?yōu)槿菀讋冸x的層狀結(jié)構(gòu),從而可以非常容易方便地將柔性基板從硬質(zhì)基板上剝離。本發(fā)明不需要大型設(shè)備,實現(xiàn)起來簡單、操作方便。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及柔性電子器件制造技術(shù),具體地說,是一種制造柔性電子器件時,對柔性基板進行剝離的方法。
背景技術(shù)
柔性光電子學,即將光電子器件,如顯示器、芯片、電路、電源、傳感器等制作于可彎曲的基板之上,以實現(xiàn)傳統(tǒng)光電子器件所不能實現(xiàn)的功能、成本或用戶體驗的優(yōu)勢。由于傳統(tǒng)硬質(zhì)基板能夠與傳統(tǒng)設(shè)備兼容,并可以精確對位形成微細圖案等,現(xiàn)有主流的柔性器件,如柔性AMOLED的制備,需要將柔性基板先制備或吸附于硬質(zhì)基板表面,進行器件制備后再將柔性基板從硬質(zhì)基板上剝離。因此,剝離技術(shù)成為這類柔性器件生產(chǎn)的關(guān)鍵。
以柔性AMOLED為例,目前主流的柔性光電子器件采用激光的方式進行剝離,即在高分子基板和玻璃界面施以高強度激光,將界面的一層高分子薄層燒蝕,從而實現(xiàn)剝離。這種方式已能實現(xiàn)量產(chǎn),但是由于激光掃描尺寸的限制,難以應(yīng)用于大尺寸柔性屏體的制備,同時由于激光剝離設(shè)備較為復雜,僅有少數(shù)公司有能力設(shè)計,為了降低成本,需要更為簡易、更不依賴于復雜設(shè)備的剝離方式。
目前也有許多研究機構(gòu)和公司在剝離技術(shù)方面提供了不同的解決方案,如將載體玻璃完全刻蝕;或?qū)⒉A系碾x型層濕法刻蝕;或?qū)⑵馏w四周粘附于玻璃上,而中間不粘附,待器件制作完成后將中間切下等。中國專利申請200910159470.9揭示了一種剝離的方法,用帶層狀結(jié)構(gòu)的粘土作為柔性基板,用a-Si作為離型層,給a-Si施加能量(優(yōu)選激光)讓其熔融,粘附性變差,從而剝離柔性基板。但是,該專利申請僅適用于特殊的粘土基板,離型層只能是a-Si,適用范圍很窄;并且,從實現(xiàn)方式來看,該專利申請仍然需要很高的剝離能量,仍然需要如激光器這樣的復雜設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種實現(xiàn)簡單、成本低、容易操作的柔性基板的剝離方法。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種柔性基板的剝離方法,包括:
A、在硬質(zhì)基板上形成非結(jié)晶狀的離型層,該離型層由受熱后可形成片狀結(jié)晶的材料制成;
B、在所述離型層上形成所述柔性基板;
C、在所述柔性基板上制作電子或光學器件;
D、對所述離型層加熱,使所述離型層轉(zhuǎn)變?yōu)槿菀讋冸x的層狀結(jié)構(gòu),將所述柔性基板從硬質(zhì)基板上剝離。
進一步地,所述受熱后可形成片狀結(jié)晶的材料為過渡金屬硫族化合物。
進一步地,所述受熱后可形成片狀結(jié)晶的材料選自WS2、WSe2、MoS2、MoSe2、TiS2、TiSe2、SnS2、Bi2Te3、Sb2Te3、TaS2、TaSe2中的一種或任意組合。
進一步地,所述步驟A之前還包括:
在所述硬質(zhì)基板上形成導電層;
所述步驟A中,所述離型層形成在該導電層上;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





