[發明專利]真空裝置、其壓力控制方法和蝕刻方法有效
| 申請號: | 201310549740.6 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN103811300B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發明(設計)人: | 山本浩司;廣瀬寬司 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 裝置 壓力 控制 方法 蝕刻 | ||
1.一種真空裝置,其特征在于,具備:
收容被處理體、并且能夠將內部保持真空的處理容器;
經由氣體供給路徑對所述處理容器內供給處理氣體的氣體供給源;
設置于所述氣體供給路徑上,對所述處理氣體的供給流量進行調節的流量調節裝置;
檢測所述處理容器內的壓力的壓力檢測裝置;
經由排氣路徑與所述處理容器連接的排氣裝置;
設置于所述排氣路徑上,根據由所述壓力檢測裝置檢測出的壓力值,自動地調節開度的自動壓力控制閥;
監視所述自動壓力控制閥的開度的開度監視部;和
根據所述開度監視部的監視結果,利用所述流量調節裝置對供給的氣體流量進行調節的流量控制部,
所述流量控制部在所述自動壓力控制閥的開度上升了的情況下,反復執行控制所述流量調節裝置的處理,使得所述處理氣體的供給流量減少預先設定的減少量。
2.如權利要求1所述的真空裝置,其特征在于:
所述流量控制部通過將所述自動壓力控制閥的開度與規定的閾值進行比較而控制所述流量調節裝置,使得所述處理氣體的供給流量減少。
3.如權利要求1所述的真空裝置,其特征在于:
還具備對所述自動壓力控制閥的開度超過第一閾值的次數進行計數的計數部,
在所述計數的值超過第二閾值的情況下,所述流量控制部控制所述流量調節裝置,使得所述處理氣體的供給流量減少。
4.如權利要求1所述的真空裝置,其特征在于:
還具備對規定的經過時間的范圍內的所述自動壓力控制閥的開度的增加率進行運算的開度運算部,
在所述開度的增加率超過第三閾值的情況下,所述流量控制部控制所述流量調節裝置,使得所述處理氣體的供給流量減少。
5.如權利要求1至4中任一項所述的真空裝置,其特征在于:
所述真空裝置為對被處理體進行蝕刻的蝕刻裝置。
6.如權利要求5所述的真空裝置,其特征在于:
被處理體為FPD用基板。
7.一種真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
所述真空裝置具備:
收容被處理體、并且構成為能夠將內部保持為真空狀態的處理容器;
經由氣體供給路徑對所述處理容器內供給處理氣體的氣體供給源;
設置于所述氣體供給路徑上,對所述處理氣體的供給流量進行調節的流量調節裝置;
檢測所述處理容器內的壓力的壓力檢測裝置;
經由排氣路徑與所述處理容器連接的排氣裝置;和
設置于所述排氣路徑上,根據由所述壓力檢測裝置檢測出的壓力值,自動地調節開度的自動壓力控制閥,
所述壓力控制方法對所述處理容器內的壓力進行控制,其中,
監視所述自動壓力控制閥的開度,根據其結果,在所述自動壓力控制閥的開度上升了的情況下,反復執行控制所述流量調節裝置的處理,使得所述處理氣體的供給流量減少預先設定的減少量。
8.如權利要求7所述的真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
通過將所述自動壓力控制閥的開度與規定的閾值進行比較而進行控制,使得所述處理氣體的供給流量減少。
9.如權利要求7所述的真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
對所述自動壓力控制閥的開度超過第一閾值的次數進行計數,在計數得到的次數超過第二閾值的情況下,進行控制使得所述處理氣體的供給流量減少。
10.如權利要求7所述的真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
在規定的經過時間的范圍內所述自動壓力控制閥的開度的增加率超過第三閾值的情況下,進行控制使得所述處理氣體的供給流量減少。
11.如權利要求7至10中任一項所述的真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
所述真空裝置為對被處理體進行蝕刻的蝕刻裝置。
12.如權利要求11所述的真空裝置的壓力控制方法,其特征在于:
被處理體為FPD用基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





