[發(fā)明專利]晶片剝離裝置及晶片剝離方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310549737.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103811381B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉野道朗;中村浩二郎;古重徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種晶片剝離裝置，其為將利用粘接劑粘接于切片基底的多張晶片從所述切片基底剝離的晶片剝離裝置，其中，具有：

水槽，其對(duì)水進(jìn)行儲(chǔ)存；

保持部，其將粘接有所述晶片的所述切片基底保持為使所述晶片浸漬于所述水槽的水中；

第一噴嘴，其向浸漬于所述水槽的水中的晶片的側(cè)面噴射水；

托盤，其配置在所述水槽內(nèi)，并收容從所述切片基底剝離了的晶片，

所述保持部以沿著所述多張晶片的排列方向使所述切片基底的晶片粘接面相對(duì)于收容于所述水槽的水的液面傾斜的方式來(lái)保持所述切片基底，

所述切片基底沿著所述多張晶片的排列方向逐漸地向水中沉入，

所述托盤以與所述切片基底的移動(dòng)同步的方式向與所述切片基底的移動(dòng)方向?yàn)橄嗤较虻姆较蛞苿?dòng)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置，其中，

還具有蒸汽噴嘴，該蒸汽噴嘴構(gòu)成為向使浸漬于所述水中的晶片粘接于所述切片基底的粘接劑噴附水蒸汽。

3.如權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置，其中，

還具有第二噴嘴，該第二噴嘴向從所述切片基底剝離了的晶片的主面噴射水。

4.如權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置，其中，

在儲(chǔ)存于所述水槽的水中添加有乳酸，

所述保持部以使將所述晶片粘接于所述切片基底的粘接劑淹沒(méi)在所述水槽的水中的方式來(lái)保持所述切片基底。

5.如權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置，其中，

所述托盤的移動(dòng)量小于所述切片基底的移動(dòng)量。

6.如權(quán)利要求1所述的晶片剝離裝置，其中，

所述切片基底為多孔質(zhì)體。

7.一種晶片剝離方法，其為將利用粘接劑粘接于切片基底的多張晶片從所述切片基底剝離的晶片剝離方法，其中，包括：

準(zhǔn)備利用粘接劑粘接有多張晶片的切片基底的工序；

沿著所述多張晶片的排列方向使所述切片基底的晶片粘接面相對(duì)于收容于水槽的水的液面傾斜而保持所述切片基底的工序；

使所述切片基底的所述晶片浸漬于儲(chǔ)存在所述水槽的水中的工序；

沿著所述多張晶片的排列方向使所述切片基底逐漸地向水中沉入的工序；

向浸漬于所述水槽的水中的晶片的側(cè)面噴射水的工序；

將從所述切片基底剝離了的晶片向配置在所述水槽內(nèi)且以與所述切片基底的移動(dòng)同步的方式向與所述切片基底的移動(dòng)方向?yàn)橄嗤较虻姆较蛞苿?dòng)的托盤收容的工序。