[發明專利]一種發光二極管的制造方法

有效

• 申請號: 201310549422.X
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103811608A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 張翠
• 申請（專利權）人: 溧陽市江大技術轉移中心有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種GaN基發光二極管的制造方法，包括：?

步驟1：提供襯底（2）；?

步驟2：在襯底（2）背面上形成反射電極（1）；?

步驟3：在襯底（2）的正面上形成非摻雜GaN或AlN緩沖層（3）；?

步驟4：在非摻雜GaN或AlN緩沖層（3）上形成GaN基外延層發光結構；?

步驟5：在GaN基外延層發光結構上形成ITO透明電極層（8）；?

步驟6：在ITO透明電極層（8）中形成開口，該開口貫穿ITO透明電極層（8）且開口底部位于GaN基外延層發光結構的p型AlGaN覆蓋層（7）中；?

步驟7：在開口的底部和側壁上形成金屬阻擋層（14）；?

步驟8：在開口中的金屬阻擋層（14）上形成多層p接觸電極（9-12）；?

步驟9：在多層p接觸電極（9-12）上形成鍵合引線（13）。?

2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制造方法，特征在于：?

其中形成開口、金屬阻擋層（14）以及多層p接觸電極（9-12）包括如下步驟：?

在ITO透明電極層（8）上涂布光刻膠，經過顯影、曝光等工藝形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案在ITO透明電極層（8）的表面中部?具有光刻膠窗口區，該光刻膠窗口區用于形成貫穿ITO透明電極層（8）且底部位于p型AlGaN覆蓋層（7）中的開口；?

利用圖案化的光刻膠圖案對ITO透明電極層（8）以及p型AlGaN覆蓋層（7）進行干式蝕刻或濕式蝕刻，從而形成貫穿ITO透明電極層（8）且底部位于p型AlGaN覆蓋層（7）中的開口；?

隨后，通過蒸鍍、濺射等方法，在開口底部和側壁上形成金屬阻擋層（14），金屬阻擋層（14）的材料是TiW合金，厚度是50nm；?

通過蒸鍍、濺射等方法，在開口中的金屬阻擋層14上形成多層p接觸電極9-12，該多層p接觸電極9-12為四層結構，依次為：Ti金屬粘附層（9）、Ti/Al合金歐姆接觸層（10）、Al/Ti/Au合金電極層（11）以及Ti/Au/Rh合金電極層（12）；?

或者依次為：Ti金屬粘附層（9）、Ni/AuBe合金歐姆接觸層（10）、Al/Pt/Au合金電極層（11）以及Ti/Al/Rh/Pt/Au合金電極層（12）。?

3.根據權利要求2所述的GaN基發光二極管的制造方法，特征在于：?

其中開口是圓形，其圓心與ITO透明電極層（8）的表面中心重合；?

開口面積為ITO透明電極層（8）表面積的20％-30％，優選20％，更優選25％，且最優選30％；?

開口的底部位于p型AlGaN覆蓋層（7）中，開口深入p型AlGaN覆蓋層（7）中的深度范圍是150至250nm。?

4.根據權利要求3所述的GaN基發光二極管的制造方法，特征?在于：?

四層結構的p接觸電極（9-12）的形成步驟是：?

首先在開口中的金屬阻擋層（14）上形成Ti金屬粘附層（9），厚度為50-100nm，優選75nm；?

隨后在Ti金屬粘附層（9）上形成Ti/Al合金歐姆接觸層（10），厚度為65-120nm，優選100nm；?

隨后在Ti/Al合金歐姆接觸層（10）上形成Al/Ti/Au合金電極層（11），厚度為65-120nm，優選100nm；?

隨后在Al/Ti/Au合金電極層（11）上形成Ti/Au/Rh合金電極層（12），厚度為65-120nm，優選100nm。?

5.根據權利要求4所述的GaN基發光二極管的制造方法，特征在于：?

四層結構的p接觸電極（9-12）的形成步驟是：?

首先在開口中的金屬阻擋層（14）上形成Ti金屬粘附層（9），厚度為50-100nm，優選75nm；?

隨后在Ti金屬粘附層（9）上形成Ni/AuBe合金歐姆接觸層（10），厚度為75-120nm，優選110nm；?

隨后在Ni/AuBe合金歐姆接觸層（10）上形成Al/Pt/Au合金電極層（11），厚度為75-120nm，優選110nm；?

隨后在Al/Pt/Au合金電極層（11）上形成Ti/Al/Rh/Pt/Au合金電極層（12），厚度為75-120nm，優選110nm。?