[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件以及形成該半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310549339.2
• 申請(qǐng)日: 2013-11-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104157649B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉敏秀;孫潤(rùn)翼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/088
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/088;H01L29/423;H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/762
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

外圍區(qū)域，其位于半導(dǎo)體基板中，所述外圍區(qū)域包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；

第一有源區(qū)，其形成在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的半導(dǎo)體基板中，所述第一有源區(qū)由設(shè)置在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的器件隔離膜中的凹陷部限定；

第二有源區(qū)，其由設(shè)置在所述第三區(qū)域中的器件隔離膜限定；

埋入式金屬層，其埋入一個(gè)或多個(gè)所述凹陷部中；

第一導(dǎo)電層，其形成在所述第一區(qū)域中的所述第一有源區(qū)和所述第一區(qū)域中的所述埋入式金屬層上；以及

第二導(dǎo)電層，其形成在所述第二區(qū)域中的所述第一有源區(qū)和所述第二區(qū)域中的所述埋入式金屬層上，

其中，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層中的一者還形成在所述第三區(qū)域中的所述第二有源區(qū)上，并且

所述第一導(dǎo)電層包括第一類(lèi)型的雜質(zhì)，而所述第二導(dǎo)電層包括與所述第一類(lèi)型的雜質(zhì)不同的第二類(lèi)型的雜質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一區(qū)域包括三維NMOS區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第二區(qū)域包括三維PMOS區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第三區(qū)域包括平面NMOS區(qū)或平面PMOS區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一有源區(qū)包括鰭型結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第二有源區(qū)包括平面結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述凹陷部形成在所述第一有源區(qū)的兩側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述埋入式金屬層包括氮化鈦膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述埋入式金屬層的厚度為所述凹陷部的寬度的大約一半。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一區(qū)域中的所述第一導(dǎo)電層包含n型多晶硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第二導(dǎo)電層包含p型多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一絕緣膜，其形成在所述第一有源區(qū)的表面上以及所述第一有源區(qū)的從所述凹陷部露出的側(cè)壁上；

第二絕緣膜，其形成在所述第二有源區(qū)的表面上。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

硅化物膜，其形成在所述埋入式金屬層上。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

金屬層，其形成在(i)所述第一導(dǎo)電層上、(ii)所述第二導(dǎo)電層上或(iii)所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層二者上。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述金屬層包含鎢。