[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310549227.7 | 申請日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN104638154A | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張娟娟;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述陰極層由有機電子傳輸材料層,錸的氧化物摻雜層和金屬摻雜層組成,所述有機電子傳輸材料層材料的HOMO能級為-6.5eV~-7.5eV,玻璃化轉變溫度為50℃~100℃,所述錸的氧化物摻雜層包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料,所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸和三氧化二錸中至少一種,所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳和氧化銅中至少一種,所述金屬摻雜層包括金屬及摻雜在所述金屬中的鋅的化合物,所述金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV,所述鋅的化合物選自氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中至少一種。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機電子傳輸材料選自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲和2,8-二(二苯膦氧基)二苯并[b,d]噻吩中至少一種,所述金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。
3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述錸的氧化物摻雜層中所述錸的氧化物與鈍化材料的質量比為5:1~15:1,所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鋅的化合物的質量比為10:1~30:1。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機電子傳輸材料層厚度為100nm~200nm,錸的氧化物摻雜層厚度為50nm~100nm,所述金屬摻雜層厚度為100nm~300nm。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層;及
在電子注入層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備有機電子傳輸材料層,所述有機電子傳輸材料層材料的HOMO能級為-6.5eV~-7.5eV,玻璃化轉變溫度為50℃~100℃,接著在所述有機電子傳輸材料層表面通過電子束方式制備錸的氧化物摻雜層,所述錸的氧化物摻雜層包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的鈍化材料,所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸和三氧化二錸中至少一種,所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳和氧化銅中至少一種,通過電子束蒸鍍的方式在所述錸的氧化物摻雜層表面蒸鍍制備所述金屬摻雜層,所述金屬摻雜層包括金屬及摻雜在所述金屬中的鋅的化合物,所述金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV,所述鋅的化合物選自氧化鋅、硫化鋅、硒化鋅和氯化鋅中至少一種。
6.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述有機電子傳輸材料選自1,2,4-三唑衍生物、2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲和2,8-二(二苯膦氧基)二苯并[b,d]噻吩中至少一種,所述金屬材料選自銀、鋁、鉑和金中至少一種。
7.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述錸的氧化物摻雜層中所述錸的氧化物與鈍化材料的質量比為5:1~15:1,所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鋅的化合物的質量比為10:1~30:1。
8.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述有機電子傳輸材料層厚度為100nm~200nm,錸的氧化物摻雜層厚度為50nm~100nm,所述金屬摻雜層厚度為100nm~300nm。
9.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2×10-3Pa~5×10-5Pa,工作電流為1A~3A,有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。
10.根據(jù)權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm2~l00W/cm2,有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
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