[發明專利]一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法在審
| 申請號： | 201310549164.5 | 申請日： | 2013-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103560182A | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發明（設計）人： | 韋勝國 | 申請（專利權）人： | 韋勝國 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人： | 陳月福 |
| 地址： | 541001 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 色溫 顯色 白光 led 制備 方法 | ||
1.一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
采用金屬有機物化學氣相沉積方法，在圖形化藍寶石襯底上外延InGaN/GaN結構；
InGaN/GaN結構通過等離子體增強化學氣相沉積、光刻、ICP刻蝕、電子束蒸發后制備成LED芯片；
LED芯片再通過刺晶、引線、灌膠、烘烤，被封裝成LED管座；
向LED管座注入熒光粉封，裝成GaN基低色溫高顯色白光LED。
2.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，GaN基低色溫高顯色白光LED在20mA工作電流下，工作電壓為3.19V，發光波長為440nm。
3.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，所述圖形化藍寶石襯底尺寸為2英寸。
4.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，所述LED芯片尺寸為14x14mil。
5.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，選用封裝材料有雙酚A/B型環氧樹脂、彈性硅膠、2.5μm金絲引線、0.94±0.05mm支架銀杯杯底。
6.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，烘烤溫度為800～1400℃，在烘烤時氣氛中含有氫氣。
7.根據權利要求1所述一種GaN基低色溫高顯色白光LED制備方法，其特征在于，所述熒光粉由A膠、B膠、綠粉、紅粉按照質量比為0.5：0.5：0.2：0.03混合而成，其中顆粒尺寸為7～8μm。
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