[發明專利]一種LED的檢測方法

在審

• 申請號: 201310549139.7
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103558539A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 韋勝國
• 申請（專利權）人: 韋勝國
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 陳月福

技術領域

本發明涉及LED故障檢測技術領域，確切地說是一種LED的檢測方法。

背景技術

隨著LED技術的不斷發展和完善，LED以其體積小、響應快、壽命長、可靠性高、功耗低等優點已廣泛應用于指示、顯示、普通照明等領域，隨著其應用范圍的不斷擴大，提高LED產品的可靠性和穩定性，降低其生產成本成為不可忽視的問題，因此LED生產過程中的質量檢測顯得尤為重要。

目前對LED的檢測主要集中在封裝前的晶片檢測及封裝完成后的成品檢測。已有的LED檢測方法主要有接觸式檢測和非接觸式檢測兩大類。接觸式檢測方法包括常規的電學測量方法、四探針法…、Van?der?Pauw法、OBIC(opticalbeam?induced?current)法等。常規的電學測量方法，可以注入電流使LED發光，或者通過測量LED管腳之間的電阻來檢測，還可以通過二極管電流電壓關系來檢測pn結參數。接觸式檢測方法要求檢測探針和被測樣品直接接觸，檢測效率低，不僅探針有損耗，同時很可能在檢測過程中造成芯片污染，甚至劃傷以至報廢，通常只能抽檢芯片，不適用于大批量生產的在線應用。非接觸式檢測方法包括無線探針板法、激光SQUID(超導量子干涉儀)法等。無線探針板法需要在晶片上增加額外的發送接收電路實現晶片功能的檢測，成本高且效率低。激光SQUID法通過非接觸測量光電流產生的磁場分布來實現pn結的檢測，但由于磁場變化極其微弱，必須采用超導量子磁強計(SQUID)，檢測儀器系統構成非常復雜，且價格昂貴。上面所述的兩類檢測方法主要用于LED外延片，芯片和成品檢測，目前國內外還沒有適合在封裝過程中對LED半成品進行檢測的方法。

需要一種基于pn結光生伏特效應的LED非接觸檢測方法，在LED引腳式封裝過程中，通過測量微電流LED在焊接連接的引線支架中產生的短路電流，檢測壓焊工藝中、后LED功能狀態及芯片與引線支架的電氣連接情況。根據LED封裝支架結構，采用互感原理測量光生短路電流，檢測中不接觸LED芯片表面，在封裝過程中就能對LED半成品進行快速檢測。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是通過測量光照射LED芯片在焊接連接的引線支架中產生的短路電流，檢測壓焊工藝中、后LED芯片功能狀態及芯片與引線支架的電氣連接情況，提供可以在封裝過程中對LED半成品進行檢測的一種方法。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種LED的檢測方法，所述方法包括如下步驟：

步驟1：LED在引腳封裝時，通過電夾對在支架上形成回路LED通電；

步驟2：處理器通過控制電夾微電流和收集傳感器采集LED磁感信號，判斷LED是否存在短路；

步驟3：根據收到的短路信息定位半成品的LED位置，并將半成品LED的信息位置顯示到顯示屏。

在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。

進一步，所述處理器包含CPU、模數轉換電路、微電流源，其中微電流源輸出端與模數轉換電路相連，CPU的輸出端分別與模數轉換電路、微電流源、顯示屏相連。

進一步，處理器通過控制電夾微電流和收集傳感器采集LED磁感信號，判斷LED是否存在短路，詳細步驟如下：

處理器中的CPU把微電流源經過模數轉換電路控制微電流在支架上；

當傳感器采集到LED芯片的微電流形成的磁感信號，將所述磁感信號發送給處理器中CPU；

CPU根據磁感信號的大小，判斷是否小于標準值，如果否，則結束當前步驟，如果是，則執行步驟3。

進一步，所述傳感器未讀取LED上芯片任何信息，根據傳感器位置信息生成LED位置信息輸出到顯示屏。

進一步，步驟2中的傳感器是磁傳感器，所述磁傳感器是位于支架下每個LED芯片上。

本發明的有益效果是：通過本技術方案在焊接連接的引線支架中產生的短路電流，檢測壓焊工藝中、后LED芯片功能狀態及芯片與引線支架的電氣連接情況，提供可以在封裝過程中對LED半成品進行檢測的一種方法。

附圖說明

圖1為本發明LED的檢測方法流程圖；

圖2為本發明LED的檢測原理框架圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

如圖1所示，為本發明LED的檢測方法流程圖，包括如下步驟：

步驟1：LED在引腳封裝時，通過電夾對在支架上形成回路LED通電；