[發(fā)明專利]一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310548867.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103606525A | 公開（公告）日： | 2014-02-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張鵬;欒冬;陳剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué)(威海) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/48 | 分類號(hào)： | H01L21/48;C23C22/68 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 264209*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 金絲 銅箔 連接 質(zhì)量 處理 方法 | ||
1.一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于：將銅箔片待連接表面用質(zhì)量濃度為5％-30％的酸溶液進(jìn)行清洗3-5分鐘；而后加入質(zhì)量濃度為10％-30％的稀土鹽溶液，攪拌6-9分鐘；再加入質(zhì)量濃度為5％-20％的雙氧水溶液，靜置4-6分鐘；取出銅箔片用超純水沖洗吹干后在50-200℃溫度范圍內(nèi)與金絲連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于，所述銅箔材料為純銅或銅合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于，所述銅箔為壓延銅箔、電解銅箔或覆銅箔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于，所述酸溶液可以是鹽酸、硝酸、硫酸或氫氟酸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于，所述稀土鹽溶液可以是鈰鹽溶液或鑭鹽溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高金絲與銅箔連接質(zhì)量的處理方法，其特征在于，所述攪拌方式可以是機(jī)械攪拌、磁力攪拌或超聲波攪拌方式。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
