[發明專利]一種半浮柵感光器件的制造方法

無效

• 申請號: 201310548645.4
• 申請日: 2013-11-06
• 公開（公告）號: CN103579275A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 孫清清;王鵬飛;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?半浮柵感光器件的制造方法，包括浮柵和控制柵的形成方法，其特征在于，所述浮柵和控制柵的形成方法包括以下步驟：

覆蓋所形成的結構，淀積第一層導電薄膜；

在所述第一層導電薄膜之上形成第二層絕緣薄膜；

在所述第二層絕緣薄膜之上淀積第二層導電薄膜；

通過光刻工藝和刻蝕工藝刻蝕所述第二層導電薄膜，刻蝕后剩余的所述第二層導電薄膜形成器件的控制柵；

沿著所述控制柵的兩側邊沿，繼續刻蝕掉暴露出的所述第二層絕緣薄膜和所述第一層導電薄膜，刻蝕后剩余的所述第一層導電薄膜形成器件的浮柵，所述浮柵與部分具有第一種摻雜類型的摻雜阱連接，將另一部分具有第一種摻雜類型的摻雜阱暴露出來。

2.?根據權利要求1所述的半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：在所述浮柵和控制柵的形成方法之前還包括以下步驟：

在具有第一種摻雜類型的半導體襯底內形成淺溝槽隔離結構或者硅局部氧化結構；

在所述半導體襯底內形成具有第二種摻雜類型的摻雜阱；

在所述半導體襯底的表面形成第一層絕緣薄膜，然后通過光刻工藝形成圖形；

以光刻膠為掩膜刻蝕掉暴露出的所述第一層絕緣薄膜；

以刻蝕后剩余的所述第一層絕緣薄膜為掩膜，進行離子注入，在所述具有第二種摻雜類型的摻雜阱內形成具有第一種摻雜類型的摻雜阱，所述具有第一種摻雜類型的摻雜阱與所述具有第二種摻雜類型的摻雜阱形成用于產生光電效應的pn結二極管。

3.?根據權利要求1所述的半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：在所述浮柵和控制柵的形成方法之后還包括以下步驟：

在所述控制柵的兩側形成柵極側墻；

沿著所述柵極側墻刻蝕掉暴露出的所述第一層絕緣薄膜；

進行離子注入，在所述半導體襯底內形成源漏摻雜；

進行電極隔離和電極形成，并形成光通道，使得光能照射到所述用于產生光電效應的pn結二極管上。

4.?根據權利要求1所述的半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一層導電薄膜材料為多晶鍺化硅、多晶硅、鎢、氮化鈦或者合金材料中的任意一種。

5.?根據權利要求1所述的半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第二層導電薄膜為摻雜的多晶硅、金屬或者它們之間的疊層中的任意一種。

6.?根據權利要求1~3所述的任意一種半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：所述的半導體襯底為硅、絕緣體上的硅、鍺化硅或者砷化鎵中的任意一種。

7.?根據權利要求1~2所述的任意一種半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一種摻雜類型為n型，所述的第二種摻雜類型為p型；或者，所述的第一種摻雜類型為p型，所述的第二種摻雜類型為n型。

8.?根據權利要求1~3所述的任意一種半浮柵感光器件的制造方法，其特征在于：所述的第一層絕緣薄膜、第二層絕緣薄膜為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、具有高介電常數的絕緣材料或者它們之間的疊層中的任意一種。