[發(fā)明專利]真空高溫鋁釬料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310548258.0 | 申請日： | 2013-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103624416A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李辰;辛燕;鄭玉俠;劉迅;朱琳 | 申請（專利權(quán)）人： | 航天科工防御技術(shù)研究試驗中心 |
| 主分類號： | B23K35/28 | 分類號： | B23K35/28;B23K35/40 |
| 代理公司： | 北京風(fēng)雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李弘;陳安平 |
| 地址： | 100085*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空 高溫 料及 制備 方法 | ||
1.一種真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
取經(jīng)過預(yù)處理的鋁錠，控制爐溫為700～750℃進行鋁錠熔煉；
待鋁錠完全熔化后，向爐中加入表面覆蓋劑，使熔化后的鋁液表面覆蓋表面覆蓋劑；
立即向鋁液中加入單晶硅，爐溫保持在700～780℃；
待硅熔化后，向鋁液中加入鑭鹽變質(zhì)劑；
繼續(xù)向鋁液中加入金屬鎂，待金屬鎂熔化后保溫30～60分鐘；
繼續(xù)向鋁液中加入金屬鍶，待金屬鍶熔化后保溫8～20分鐘；
最后，對爐中的混合溶液精煉除渣后即可澆注獲得真空高溫鋁釬料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，所述鋁錠的預(yù)處理包括將鋁錠表面進行去污或噴砂處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，根據(jù)鋁液液面覆蓋情況，及時補充適當(dāng)量的表面覆蓋劑使鋁液表面完全被覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，所述表面覆蓋劑為質(zhì)量比為1:0.5～2的經(jīng)過煅燒處理的氯化鋰和氯化鉀，在使用前，將表面覆蓋劑進行150～250℃干燥1～3小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，所述金屬鎂為鋁箔包裹的鎂錠，該鎂錠的燒失量控制在30～50%，在使用前，將鎂錠進行100～200℃干燥1～3小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，所述金屬鍶為鋁箔包覆的鍶錠，在使用前，將鍶錠進行100～200℃干燥1～3小時。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，所述鑭鹽變質(zhì)劑為鑭鉀變質(zhì)劑，在使用前，將鑭鹽變質(zhì)劑進行100～200℃干燥1～3小時。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空高溫鋁釬料的制備方法，其特征在于，采用惰性氣體對爐料進行精煉。
9.一種真空高溫鋁釬料，其特征在于，所述真空高溫鋁釬料根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項所述的真空高溫鋁釬料的制備方法制得，所述鋁釬料的熔點為575～580℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空高溫鋁釬料，其特征在于，所述真空高溫鋁釬料由以下原料按照各重量份組成：鋁錠85～95份、單質(zhì)硅8～14份、鑭鹽變質(zhì)劑2～5份、鎂2～4份和鍶0.02～0.5份。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于航天科工防御技術(shù)研究試驗中心，未經(jīng)航天科工防御技術(shù)研究試驗中心許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310548258.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
