[發明專利]攝像器件及其驅動方法和攝像裝置在審
| 申請號: | 201310548165.8 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN103855174A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 山下和芳 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/3745 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 器件 及其 驅動 方法 裝置 | ||
1.一種攝像器件,其包括:
半導體基板,其包括:光電轉換元件和電荷-電壓轉換元件;
電容量開關;以及
電荷積累元件,其鄰近于所述光電轉換元件,
其中,所述電荷積累元件的至少一部分與所述光電轉換元件的電荷積累區域重疊,且
其中,所述電荷積累元件通過所述電容量開關選擇性連接到所述電荷-電壓轉換元件。
2.根據權利要求1所述的攝像器件,其中,當所述電容量開關開通時,所述電荷積累元件的電容量被添加至所述電荷-電壓轉換元件的電容量。
3.根據權利要求1所述的攝像器件,其中,所述光電轉換元件設置在所述電荷積累元件和所述半導體基板的光接收表面之間。
4.根據權利要求1所述的攝像器件,其還包括:
布線層,
其中,所述攝像器件為背部照明型攝像器件,在所述背部照明型攝像器件中,所述光電轉換元件設置在所述半導體基板的光接收表面與所述布線層之間。
5.根據權利要求4所述的攝像器件,其中,所述電荷積累元件是所述布線層的一部分。
6.根據權利要求1所述的攝像器件,其還包括:
光屏蔽層。
7.根據權利要求6所述的攝像器件,其中,所述電荷積累元件形成為所述光屏蔽層的一部分。
8.根據權利要求6所述的攝像器件,其中,所述電荷積累元件形成在所述光屏蔽層與所述光電轉換元件之間。
9.根據權利要求1所述的攝像器件,
其中,預定像素和鄰近于所述預定像素的另一像素共用一個所述電荷-電壓轉換元件和一個所述電容量開關,且
設置在所述預定像素中的所述電荷積累元件和設置在所述另一像素中的所述電荷累積元件通過所共用的電容量開關選擇性地連接到所共用的電荷-電壓轉換元件。
10.根據權利要求1所述的攝像器件,
其中,所述電荷積累元件包括第一電極和第二電極,且
其中,所述第一電極連接到所述電容量開關。
11.根據權利要求10所述的攝像器件,其中,所述第二電極比所述第一電極更靠近所述光電轉換元件,且所述第二電極由金屬形成。
12.根據權利要求10所述的攝像器件,其中,所述第一電極和所述第二電極中的每一者包括布置成櫛齒形狀的多個子電極。
13.根據權利要求10所述的攝像器件,其中,所述第一電極和所述第二電極中的一個電極由金屬和多晶硅中的一者形成,且所述第一電極和所述第二電極中的其它電極由金屬和多晶硅中的一者形成。
14.根據權利要求1所述的攝像器件,
其中,所述電荷-電壓轉換元件是浮置擴散區域,且
其中,所述電荷積累元件是電容器。
15.根據權利要求1所述的攝像器件,
其中,所述攝像器件是前部照明型攝像器件,
其中,所述電荷-電壓轉換元件被包含在像面相位差像素中,且
其中,所述電荷積累元件作為所述光電轉換元件的光屏蔽層進行操作。
16.根據權利要求1-15中任一項所述的攝像器件,其還包括負偏壓施加部,所述負偏壓施加部用于經由所述電荷積累元件向所述光電轉換元件施加負偏壓。
17.一種攝像裝置,其包括光學部、用于從所述光學部接收光的固態攝像器件以及從所述固態攝像器件接收信號的數字圖像處理器,所述固態攝像器件是前述權利要求1-16中任一項所述的攝像器件。
18.一種驅動攝像器件的方法,其包括:
設置固態攝像器件,所述固態攝像器件包括光電轉換元件、電荷-電壓轉換元件以及相鄰于所述光電轉換元件的電荷積累元件,其中,所述電荷積累元件的至少一部分與所述光電轉換元件的電荷積累區域重疊,且其中,所述電荷積累元件的電容量能夠被添加至所述電荷-電壓轉換元件的電容量;
檢測照明條件;
響應于確定出所述照明條件為低,使所述電荷電壓轉換元件與所述電荷積累元件未電連接;且
響應于確定出所述照明條件為高,使所述電荷-電壓轉換元件與所述電荷積累元件電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





