[發明專利]半導體集成電路裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310548105.6
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN104241522B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 沈俊燮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

提供了一種半導體集成電路裝置及其制造方法。所述半導體集成電路裝置包括：半導體襯底，具有有源島；柵極，掩埋在有源島的預定部分中；源極和漏極，形成在柵極的兩側；以及電流阻擋層，在有源島中與所述漏極的下部相對應而形成。當電流從漏極流入時，電流阻擋層被配置成將電流經由源極的下部放電至半導體襯底的內部。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年6月5日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2013-0064579的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明構思涉及一種半導體集成電路裝置及其制造方法，更具體而言，涉及一種具有水平溝道結構的阻變存儲器件及其制造方法。

背景技術

隨著移動和數字信息通信以及消費電子業的快速發展，對現有電子電荷控制器件的研究會遇到瓶頸。因而，需要研發現有電子電荷器件之外的新構思的新功能存儲器件。具體地，需要研發具有大容量、超高速度以及超低功率的下一代存儲器件。

目前，已經提出了利用電阻器件作為存儲媒介的阻變存儲器件來作為下一代存儲器件，典型作為阻變存儲器件的是相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)以及磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。

阻變存儲器件可以基本上由開關器件和電阻器件來配置，并且根據電阻器件的狀態來存儲數據“0”或“1”。

即使在阻變存儲器件中，最重要的也是要改善集成密度，以及在有限的和小的面積內盡可能多地集成存儲器單元。

目前，提出了以三維(3D)結構來配置阻變存儲器件的方法，并且對利用窄臨界尺寸來穩定地層疊多個存儲器單元的方法的要求正在增加。

作為典型的3D結構的阻變存儲器件的制造方法，提出了利用垂直柱體來制造開關器件的方法(或垂直溝道方式)和通過將與半導體襯底的表面大體垂直的有源區浮置來形成水平溝道的方法。

使用3D結構的垂直溝道方法和水平溝道方法可以改善集成密度，但是制造工藝復雜。

發明內容

根據一個實施例，提供了一種半導體集成電路裝置。所述半導體集成電路裝置可以包括：半導體襯底，具有有源島；柵極，掩埋在有源島的預定部分中；源極和漏極，形成在柵極的兩側；以及電流阻擋層，適用于將電流經由源極的下部放電至半導體襯底。

根據一個實施例，提供了一種制造半導體集成電路裝置的方法。所述方法可以包括以下步驟：通過將半導體襯底刻蝕預定深度來形成有源島；通過刻蝕有源島的預定部分來形成柵極區；通過將第一雜質注入至有源島中而在有源島中形成第一雜質區；通過將導電材料掩埋在柵極區中來形成柵極；通過在柵極的兩側將具有與第一雜質區相反的導電性的雜質注入至第一雜質區中來形成源極區和漏極區；以及將具有與第一雜質大體相同的導電性的雜質注入至漏極的下部中。

根據一個實施例，提供了一種制造半導體集成電路裝置的方法。所述方法可以包括以下步驟：通過將半導體襯底刻蝕預定深度來形成有源島；通過刻蝕有源島的預定部分來形成柵極區；通過將第一雜質注入到有源島中而在有源島中形成第一雜質區；通過將導電材料掩埋在柵極區中來形成柵極；通過將具有與第一雜質區大體相同的導電性的雜質注入至柵極的兩側的下部中來形成電流阻擋層；以及通過在電流阻擋層之上注入具有與第一雜質區相反的導電性的雜質來形成源極和漏極。

在以下標題為“具體實施方式”的部分描述這些和其他的特點、方面以及實施例。

附圖說明

從如下結合附圖的詳細描述中將更加清楚地理解本公開主題的以上和其他的方面、特征和其他的優點，其中：

圖1至圖5是說明根據本發明構思的一個實施例的制造半導體集成電路裝置的方法的工藝的截面圖；