[發(fā)明專利]一種在處理機(jī)臺(tái)上生成用于定位晶圓的制程的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310548035.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104637781B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周堅(jiān) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 處理機(jī) 臺(tái)上 生成 用于 定位 方法 | ||
1.一種在處理機(jī)臺(tái)上生成用于定位晶圓的制程的方法,包括如下步驟:
Ⅰ.導(dǎo)入待測(cè)晶圓;
Ⅱ.按照如下步驟分別設(shè)定至少兩個(gè)定位單元,其中
i 通過圖像識(shí)別設(shè)備在所述晶圓上選定特征性圖形區(qū)域;
ii在所述特征性圖形區(qū)域中確定至少兩個(gè)特征點(diǎn);
iii記錄每個(gè)特征點(diǎn)的坐標(biāo);
Ⅲ.把所述定位單元的數(shù)據(jù)保存至所述制程中,所述定位單元的數(shù)據(jù)包括所述特征性圖形區(qū)域和每個(gè)特征點(diǎn)的坐標(biāo);
其中,制程中每一個(gè)定位單元所選定的圖形區(qū)域不一樣,
其中,在步驟Ⅲ中,所述制程還包括定位單元排序組,所述定位單元按預(yù)定的排列規(guī)則被保存至所述定位單元排序組中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,至少一個(gè)所述特征點(diǎn)靠近所述晶圓的中心,至少一個(gè)所述特征點(diǎn)靠近所述晶圓的邊緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在確定所述特征點(diǎn)時(shí),選擇點(diǎn)間距離遠(yuǎn)的點(diǎn)為特征點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,當(dāng)設(shè)定制程中的第一個(gè)定位單元時(shí),所述特征性圖形區(qū)域在靠近晶圓中心區(qū)域附近選取。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在步驟i中,設(shè)定一個(gè)特征性閾值,當(dāng)圖形區(qū)域的特征性值大于所述特征性閾值時(shí),選定該圖形區(qū)域?yàn)樘卣餍詧D形區(qū)域,其中,該特征性值表示圖形的特征被識(shí)別的難易程度。
6.一種用處理機(jī)臺(tái)在制程中增加定位單元的方法,所述制程用于定位晶圓,包括如下步驟:
A.導(dǎo)入待測(cè)晶圓;
B.導(dǎo)出制程中現(xiàn)有定位單元中的現(xiàn)有數(shù)據(jù),所述現(xiàn)有數(shù)據(jù)包括現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域和現(xiàn)有特征點(diǎn)的現(xiàn)有坐標(biāo);
C.根據(jù)所述現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域數(shù)據(jù),通過圖像識(shí)別設(shè)備在晶圓上自動(dòng)搜尋以找出與所述現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域相匹配的圖形區(qū)域;
D.根據(jù)現(xiàn)有數(shù)據(jù)中提供的現(xiàn)有特征點(diǎn),在當(dāng)前找出的圖形區(qū)域中搜尋該現(xiàn)有特征點(diǎn),并確定所述現(xiàn)有特征點(diǎn)的當(dāng)前坐標(biāo);計(jì)算所述當(dāng)前坐標(biāo)相對(duì)于所述現(xiàn)有坐標(biāo)在X軸和Y軸上的偏移量和偏轉(zhuǎn)角度;根據(jù)計(jì)算得出的所述X軸和Y軸上的偏移量和偏轉(zhuǎn)角度,得出當(dāng)前坐標(biāo)與現(xiàn)有坐標(biāo)的換算公式;
E.添加至少一個(gè)新增定位單元;其中
e1.通過圖像識(shí)別設(shè)備在所述晶圓上選定新增特征性圖形區(qū)域,其中,該新增特征性圖形區(qū)域與現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域不一樣;
e2.在所述新增特征性圖形區(qū)域中確定至少兩個(gè)特征點(diǎn);
e3.記錄所述新增的特征點(diǎn)的坐標(biāo);
F.把所述新增定位單元的數(shù)據(jù)保存至所述制程中,所述新增的定位單元的數(shù)據(jù)包括新增特征性圖形區(qū)域和新增的特征點(diǎn)的坐標(biāo);
其中,步驟C中還包括如下步驟:
c1.設(shè)定圖形相似性閾值,通過圖形識(shí)別設(shè)備判斷在晶圓中所搜尋區(qū)域與現(xiàn)有定位單元中的現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域的相似值;
c2.根據(jù)所述相似值和所述圖形相似性閾值,判定所搜尋區(qū)域是否為所要找的現(xiàn)有特征性圖形區(qū)域,其中:
c21.當(dāng)所述相似值大于相似性閾值時(shí),判定所搜尋區(qū)域?yàn)樗业默F(xiàn)有特征性圖形區(qū)域,并執(zhí)行步驟D;
c22.當(dāng)所述相似值小于相似性閾值時(shí),降低該相似性閾值的值并再次搜尋。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,步驟c22還包括如下步驟:
c221.當(dāng)再次搜尋之后所述相似值大于降低后的所述相似性閾值,則接收所輸入的對(duì)所搜尋到的區(qū)域是否為特征性圖形區(qū)域的人工確認(rèn),然后執(zhí)行步驟D;
c222.當(dāng)再次搜尋之后所述相似值小于降低后的所述相似性閾值,則接收所輸入的對(duì)該特征性圖形區(qū)域的人工查找,然后執(zhí)行步驟D。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中,步驟D中所述公式為:
X’=X*cosθ+Y*sinθ+△X
Y’=-X*sinθ+Y*cosθ+△Y
(X,Y)為原坐標(biāo)點(diǎn),(X’,Y’)為當(dāng)前坐標(biāo)點(diǎn),θ為偏轉(zhuǎn)角度,(△X,△Y)為偏移量。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司,未經(jīng)睿勵(lì)科學(xué)儀器(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310548035.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





