[發明專利]一種2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器在審
| 申請號： | 201310547844.3 | 申請日： | 2013-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN104466316A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 邵振海;宋明清 | 申請（專利權）人： | 北京東方安高微電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/203 | 分類號： | H01P1/203 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 101400 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波段 缺陷 結構 半?；?/a> 集成 波導 濾波器 | ||
1.一種2X波段缺陷接結構-半模基片集成波導濾波器，其特征在于，包括：介質基片以及設置于所述介質基片上的金屬貼片，其中，所述介質基片上設置有多個通孔，所述金屬貼片包括位置相對的輸入端口微帶線、輸出端口微帶線、以及分別通過微帶-半?；刹▽н^渡金屬線與輸入端口微帶線和輸出端口微帶線連接的半?；刹▽?，且所述半?；刹▽Ь哂卸鄠€單個缺陷地結構單元及嵌套缺陷地結構單元以及與所述介質基片的通孔相通的孔。
2.根據權利要求1所述的2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器，其特征在于，所述單個缺陷地結構單元包括兩個對稱的具有開口的框型凹陷，且兩個框型凹陷的開口方向相對；所述嵌套缺陷地結構單元包括多個嵌套的單個缺陷地結構單元，且所述嵌套缺陷地結構單元為對稱結構。
3.根據權利要求2所述的2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器，其特征在于，所述單個缺陷地結構單元的個數為兩個，所述嵌套缺陷地結構單元的個數為一個，且所述嵌套缺陷地結構單元位于所述兩個單個缺陷地結構單元的中間。
4.根據權利要求1所述的2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器，其特征在于，還包括設置于所述介質基片上與金屬貼片相對的一面的金屬鍍層。
5.根據權利要求1所述的2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器，其特征在于，所述通孔內壁設置有鍍銅層。
6.根據權利要求1所述的2X波段缺陷接結構-半模基片集成波導濾波器，其特征在于，所述介質基片的板材為羅杰斯板材，介電常數為2.2，板材厚度為0.254mm。
7.根據權利要求1-6任一項所述的2X波段缺陷接結構-半?；刹▽V波器，其特征在于，還包括包裹于所述介質基片和所述金屬貼片的鍍金層。
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