[發明專利]一種低剖面緊湊型雙頻段雙極化共口徑微帶天線

無效

• 申請號: 201310547527.1
• 申請日: 2013-11-06
• 公開（公告）號: CN103606745A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 劉洋;董濤;王昕;王國龍
• 申請（專利權）人: 航天恒星科技有限公司
• 主分類號: H01Q9/04
• 分類號: H01Q9/04;H01Q13/08;H01Q13/10;H01Q21/24;H01Q1/48
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種低剖面緊湊型雙頻段雙極化共口徑微帶天線，其特征在于包括：上層微波介質板（11）、下層微波介質板（12）和反射腔體（13）；反射腔體（13）為頂部開口的金屬空腔，下層微波介質板（12）蓋在反射腔體（13）為頂部開口上且將所述反射腔體（13）的頂部開口封閉，上層微波介質板（11）固定在下層微波介質板（12）上且與下層微波介質板（12）貼合；

上層微波介質板（11）的上表面分布有16個Ka頻段金屬輻射片（2）和4個Ku頻段金屬輻射片（1），4個Ku頻段金屬輻射片（1）分布在同一個正方形的四角上，該正方形的中心與所述上層微波介質板（11）的中心重合，Ku頻段饋電網絡與4個Ku頻段金屬輻射片（1）共面；

每個Ku頻段金屬輻射片（1）的周圍，以該Ku頻段金屬輻射片（1）的中心為中心，分布有四個Ka頻段金屬輻射片（2），16個Ka頻段金屬輻射片（2）形成4*4的矩陣，且相鄰兩個Ka頻段金屬輻射片（2）之間的間距相同；Ka頻段饋電網絡分布在下層微波介質板（12）的下表面；

上層微波介質板（11）的下表面上敷銅，形成金屬層，在該金屬層上腐蝕出16個L型耦合縫隙（3），每個L型耦合縫隙（3）對應一個Ka頻段金屬輻射片（2），Ka頻段饋電網絡通過L型耦合縫隙（3）對Ka頻段金屬輻射片（2）進行耦合饋電。

2.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：所述金屬層與反射腔體（13）電連通。

3.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：所述金屬層與所述反射腔體（13）的底部內表面之間的距離為4mm～6mm。

4.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：相鄰兩個Ku頻段金屬輻射片（1）之間的間距為Ku頻段波長的一半。

5.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：相鄰兩個Ka頻段金屬輻射片（2）之間的間距為Ka頻段波長的一半。

6.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：Ka頻段金屬輻射片（2）、L型耦合縫隙（3）和Ka頻段饋電網絡組成Ka頻段天線，該天線工作在右旋圓極化狀態。

7.根據權利要求1的天線陣，其特征在于：Ku頻段金屬輻射片（1）和Ku頻段饋電網絡組成Ku頻段天線，該天線工作在線極化狀態。