[發明專利]一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法

無效

• 申請號: 201310547481.3
• 申請日: 2013-11-07
• 公開（公告）號: CN103571488A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 韋勝國
• 申請（專利權）人: 韋勝國
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80;C30B15/04;C30B29/28;H01L33/50
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 陳月福

1.一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

采用中頻感應提拉法，將Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空氣中預燒干燥；

將Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末按照質量比為0.69～0.98:1:0.01:0.01:0.3混合均勻壓成塊體，再進行恒溫預燒；

將塊體裝入銥坩堝進行晶體生長得到共摻雜單晶熒光材料（Ce_x，Gd_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=0.01,y=0.3和（Ce_x，Eu_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=y=0.01。

2.根據權利要求1所述一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法，其特征在于，所述將Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空氣中預燒干燥步驟中，所述原料Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃純度為:Y₂O₃(99.999％)，Al₂O₃(99.999％)，CeO₂(99.999％)，Eu₂O₃(99.99％)，Gd₂O₃(99.99％)。

3.根據權利要求1所述一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法，其特征在于，所述將Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空氣中預燒干燥步驟中，所述預燒干燥溫度為800～1000℃。

4.根據權利要求1所述一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法，其特征在于，所述將Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末按照質量比為0.69～0.98:1:0.01:0.01:0.3混合均勻壓成塊體，再進行恒溫預燒步驟中，所述恒溫預燒溫度為1200～1400℃，保持10～15h。

5.根據權利要求1至4任一所述一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法，其特征在于，所述將塊體裝入銥坩堝進行晶體生長得到共摻雜單晶熒光材料（Ce_x，Gd_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=0.01,y=0.3和（Ce_x，Eu_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=y=0.01步驟中，所述晶體生長晶轉速率為12～25r/min，生長速率1～2.5mm/h。

6.根據權利要求1至5任一種LED共摻雜單晶熒光材料制備方法所制得的LED共摻雜單晶熒光材料。