[發明專利]雙層超結肖特基二極管無效
| 申請號： | 201310547265.9 | 申請日： | 2013-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103594523A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 王穎;徐立坤;曹菲;胡海帆 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙層 超結肖特基 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種二極管，其特征在于，包括：功率肖特基器件的漂移區，其中，
所述漂移區采用雙層超結結構。
2.根據權利要求1所述的二極管，其特征在于，所述雙層超結結構包括第一層超結結構和第二層超結結構，其中，所述第一層超結結構與陽極接觸，所述第二層超結結構與N體區接觸。
3.根據權利要求2所述的二極管，其特征在于，
所述第一層超結結構的寬度和所述第二層超結結構的寬度相同。
4.根據權利要求2所述的二極管，其特征在于，所述第一層超結結構的摻雜類型和所述第二層超結結構的摻雜類型相同。
5.根據權利要求4所述的二極管，其特征在于，
所述第一層超結結構的摻雜濃度高于所述第二層超結結構的摻雜濃度。
6.根據權利要求2至5中任一項所述的二極管，其特征在于，
所述第一層超結結構的深度和所述第二層超結結構的深度是根據所述功率肖特基器件的技術參數設定的；和/或
所述第一層超結結構的摻雜濃度和所述第二層超結結構的摻雜濃度是根據所述功率肖特基器件的技術參數設定的。
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