[發明專利]一種擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝

在審

• 申請號: 201310547201.9
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN103579417A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 初仁龍;魯偉明;王志剛;費存勇;錢善春
• 申請（專利權）人: 泰州德通電氣有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝，其特征是，包括以下步驟：

（a）首先在待刻蝕硅片的擴散面噴涂一層液態保護層或在其邊緣噴涂一層固態保護層；

（b）將噴涂有液態保護層或固態保護層的硅片在常規的鏈式設備中經過HF/HNO₃的混合溶液正常刻蝕，刻蝕結束后，將噴涂固態保護層的硅片通過堿液去除該固態保護層。

2.根據權利要求1所述的擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟（a）中的液態保護層為磷酸、硫酸、雙氧水或乙醇中的一種或幾種的混合溶液。

3.根據權利要求1所述的擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟（a）中的固態保護層為石蠟或凡士林。

4.根據權利要求1所述的擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟（a）中的液態保護層和固態保護層是通過直接噴淋或通過超聲波噴淋置于硅片擴散面或其邊緣。

5.根據權利要求1所述的擴散面具有保護層的濕法刻蝕工藝，其特征是，所述步驟（b）中HF/HNO₃的比例為1:8，提高加液次數兩倍。