[發(fā)明專利]自激振蕩電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310547163.7 | 申請日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN103812444A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 小山光明;武藤猛;石川學 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H03B5/20 | 分類號: | H03B5/20 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 日本東京涉谷區(qū)笹*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩 電路 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種具有進行自激振蕩的振蕩部的自激振蕩電路。
背景技術
具備晶體振動器(crystal?resonator)的振蕩電路在信息、通訊領域中被大范圍地應用,而要求進一步的小型化、節(jié)電化,并且要求高的頻率穩(wěn)定性。一般而言,為人所周知的是,晶體振動器隨著小型化,可使其穩(wěn)定地動作的驅動電流的上限(耐驅動電流)降低。另一方面,也存在如下情況:如果考慮振蕩頻率相對于電子噪聲或溫度變化的穩(wěn)定性,則難以令使晶體振動器振蕩的驅動電流小于耐驅動電流。
例如,引用文獻1中記載有如下技術:在使液體中的傳感對象物吸附在壓電振動器的表面上所形成的吸附層、來進行傳感的傳感裝置中,通過使壓電振動器振蕩的驅動電流設為0.3mA以下,而抑制壓電振動器的自發(fā)熱,從而準確地把握因傳感對象物的吸附所引起的頻率的變化量。然而,引用文獻1中,對于解決降低供給至壓電振動器的驅動電流時所產生的所述問題的方法未作記載。
另外,引用文獻2中記載有如下方法:在具備了由晶體振動器構成的泛音振蕩器(overtone?oscillator)的科爾皮茲(Colpitts)型振蕩電路的振蕩回路(1oop)內,設置了由晶體振動器構成的泛音共振器、來用作使規(guī)定的泛音頻率通過的濾波器(filter),由此,縮窄振蕩頻率的頻帶。該引用文獻2中,也未記載降低驅動電流并且獲得穩(wěn)定的振蕩頻率的技術。
[現(xiàn)有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-157751號公報:權利要求第1項、段落0011
[專利文獻2]日本專利特開2002-232234號公報:段落0003~0013、圖3
發(fā)明內容
[發(fā)明所要解決的問題]
本發(fā)明是在所述情況下而完成的,其目的在于提供一種自激振蕩電路,其驅動電流小且可振蕩穩(wěn)定的頻率信號。
[解決問題的技術手段]
本發(fā)明的自激振蕩電路包括:振蕩部,進行自激振蕩;及放大部,將利用該振蕩部而振蕩的頻率信號放大、并反饋給該振蕩部;且所述自激振蕩電路是:
在包含所述振蕩部與放大部的振蕩回路中,設置有共振器,所述共振器的共振頻率在所述振蕩部的振蕩頻率的附近,且Q值高于所述振蕩部。
所述自激振蕩電路也可具備下述特征。
(a)所述共振器的Q值為所述振蕩部的Q值的10倍以上。
(b)所述振蕩部為電感電容(inductance?capacitance,LC)振蕩電路、或電阻電容(resistance?capacitance,RC)振蕩電路。
(c)所述共振器為壓電振動器或微機電系統(tǒng)(Micro?Electro?Mechanical?Systems,MEMS)振動器。另外,所述壓電振動器為晶體振動器。
(d)所述共振器的共振頻率處于所述振蕩部的振蕩頻率的±10%的范圍內。
(e)用以使所述振蕩部振蕩的驅動電流為0.3mA以下。
[發(fā)明的效果]
根據本發(fā)明,進行自激振蕩的振蕩部可利用相對小的驅動電流進行振蕩,因此,除了可實現(xiàn)節(jié)電化以外,還不易產生活性下降(activity?dip)或頻率下降(frequency?dip)。另外,在振蕩回路中設置有Q值高于振蕩部的共振器,因此,通過該共振器的牽入現(xiàn)象(entrainment?phenomenon),可使自激振蕩電路整體的頻率特性提高。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的實施方式的科爾皮茲型的自激振蕩電路。
圖2(a)、圖2(b)是設置在所述自激振蕩電路的電路零件。
圖3是所述電路零件的局部放大俯視圖。
圖4(a)、圖4(b)是構成設置在所述自激振蕩電路的共振器的晶體振動器。
圖5是構成所述共振器的表面聲波(Surface?Acoustic?Wave,SAW)振動器的第一例。
圖6是構成所述共振器的表面聲波振動器的第二例。
圖7(a)、圖7(b)是構成所述共振器的微機電系統(tǒng)振動器的示例。
圖8是所述自激振蕩電路的第一變形例。
圖9是所述自激振蕩電路的第二變形例。
圖10是所述自激振蕩電路的第三變形例。
圖11是所述自激振蕩電路的第四變形例。
圖12是皮爾斯(Pierce)型的自激振蕩電路的構成例。
圖13是克拉普(Clapp)型的自激振蕩電路的構成例。
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