[發明專利]用于薄膜的聚碳酸酯樹脂、其制備方法及包含其的薄膜有效
| 申請號: | 201310546206.X | 申請日: | 2013-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN103897164A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 池俊鎬;權五成;許宗贊;權赫萬;李東根;崔祐錫;張福男 | 申請(專利權)人: | 第一毛織株式會社 |
| 主分類號: | C08G64/30 | 分類號: | C08G64/30;C08G64/24;C08G64/06;C08L69/00;C08K5/13;C08K5/523;B29C47/92 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;張英 |
| 地址: | 韓國慶*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 薄膜 聚碳酸酯 樹脂 制備 方法 包含 | ||
技術領域
本發明涉及用于薄膜的聚碳酸酯樹脂,其制備方法,以及包括其的薄膜。更具體地,本發明涉及具有優異的抗刮擦性、伸長率、耐化學性、以及耐熱性,并且能夠用于制備沒有保護膜的卷式薄膜的用于薄膜的聚碳酸酯樹脂、其制備方法,及包括其的薄膜。
背景技術
聚碳酸酯樹脂是具有約135℃以上的熱變形溫度的代表性熱塑性材料。這種聚碳酸酯樹脂顯示出優異的機械性能如抗沖擊性,以及優異的自熄特性、尺寸穩定性、耐熱性和透明性,因而已經廣泛應用于電氣和/或電子產品的外部材料、辦公設備、汽車組件、以及作為光學材料,應用于光盤基板、各種透鏡、棱鏡、光纖維等。
然而,聚碳酸酯樹脂顯示較低的抗刮擦性,這限制聚碳酸酯樹脂用作外部材料。為了補充聚碳酸酯樹脂的抗刮擦性,可以將單獨的抗刮擦性薄膜應用于聚碳酸酯薄膜。然而,該方法具有的缺點是抗刮擦性薄膜較昂貴并且由于額外的涂覆處理可能提高制造成本。
因此,各種研究已經致力于改善聚碳酸酯樹脂的抗刮擦性。在用于改善聚碳酸酯樹脂的抗刮擦性的這些方法中,將聚碳酸酯樹脂與具有抗刮擦性樹脂混和的方法是最廣泛使用的。
雖然這種混合方法能夠稍微改善抗刮擦性,但是這種方法提供了并不顯著的影響,因而要求用于改善聚碳酸酯樹脂的抗刮擦性的根本措施。特別地,當將聚碳酸酯樹脂與丙烯酸類樹脂混合來改善抗刮擦性時,由于有待混合的樹脂之間較差的相容性,可能存在耐沖擊性急劇劣化以及濁度顯著增加的風險,從而顯著地劣化了聚碳酸酯樹脂的透明性。此外,丙烯酸類樹脂可能易碎,因而當將丙烯酸類樹脂與聚碳酸酯樹脂混合時,由混合樹脂制備的薄膜可能具有低伸長率,并且不適于卷形式。通常,為了裝載、運輸等目的,工業用途的薄膜必須制備成卷式。然而,薄膜的這種低伸長率導致了不合要求的模塑性,從而限制了薄膜在工業應用中的使用。
此外,當將塑料材料用于薄膜時,通常為了裝飾目的而噴涂薄膜。在這種情況下,可用多種有機溶劑稀釋涂料,施加于薄膜表面,然后干燥。在此過程期間,用作稀釋劑的有機溶劑能夠滲入聚碳酸酯,引起薄膜的透明性和機械強度劣化。因此,為了通過噴涂等形成聚碳酸酯樹脂薄膜,需要改善聚碳酸酯樹脂的耐化學性。
韓國專利公開號2007-0071446A、2009-0026359A、以及2010-0022376A公開了通過混合聚碳酸酯樹脂和具有耐化學性的其他樹脂來改善聚碳酸酯樹脂的耐化學性的方法。雖然這種方法可以稍微改善耐化學性,但是這種方法提供了并不顯著的影響,并且可能引起抗沖擊性的劣化。此外,為了通過混合來增強劣化的抗沖擊性,可以使用抗沖擊增強劑。然而,在這種情況下,可能遇到樹脂透明性的顯著降低。
日本專利公開號H5-339390A和美國專利號5,401,826公開了通過制造共聚的聚碳酸酯來改善耐化學性的方法,其中將具有耐化學性的物質結合到存在的聚碳酸酯樹脂中。作為有待共聚的耐化學性材料的一個實例,在聚碳酸酯樹脂的制備中將4,4'-聯苯酚共聚,從而改善了耐化學性。然而,雖然通過使用4,4'-聯苯酚,聚碳酸酯樹脂可以具有改善的耐化學性,樹脂的抗沖擊性可能會降低,從而劣化了聚碳酸酯樹脂的優點。隨著4,4'-聯苯酚量的增加,樹脂的流動性急劇降低,從而劣化了模塑性。
因此,為了將聚碳酸酯樹脂用于薄膜的制備,需要在并不劣化聚碳酸酯樹脂的固有物理性質如抗沖擊性、透明性等的情況下具有優異的抗刮擦性、伸長率、以及耐化學性的聚碳酸酯樹脂。
發明內容
本發明的一個方面提供了用于薄膜的聚碳酸酯樹脂(其具有優異的抗刮擦性、伸長率、耐化學性、以及耐熱性,并且能夠用于制備沒有保護膜的卷式薄膜)、其制備方法、及包括其并能夠模制成多種厚度的薄膜。
本發明的一個方面涉及用于薄膜的聚碳酸酯樹脂。所述用于薄膜的聚碳酸酯樹脂包括由式1表示的重復單元、由式2表示的重復單元、以及由式3表示的重復單元,其中所述聚碳酸酯樹脂具有15,000g/mol至60,000g/mol的重均分子量,以及3g/10min至40g/10min的熔融指數。
<式1>
<式2>
其中,R1和R2各自獨立地是取代或未取代的C1至C6烷基基團,并且a和b各自獨立地是從0至4的整數,
<式3>
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