[發(fā)明專利]抗蝕劑下層組合物、圖案形成方法以及包括該圖案的半導(dǎo)體集成電路裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310546101.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104122754B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)孝英;金民兼;李俊昊;田桓承
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 第一毛織株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03F7/11
• 分類號(hào): G03F7/11;H01L21/027
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 余剛,張英

1.一種抗蝕劑下層組合物，包括包含由以下化學(xué)式1表示的部分的化合物和溶劑：

[化學(xué)式1]

其中，在上述化學(xué)式1中，

A¹和A²各自獨(dú)立地是選自以下組1中的一種，

B¹是選自以下組2中的一種，以及

R¹和R²各自獨(dú)立地是選自以下的一種：氫、羥基、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C10芳基、烯丙基、鹵素、以及被至少一種金屬元素、P、S、或Se取代的C1至C10烷氧基，

[組1]

其中，在所述組1中，

M¹和M²各自獨(dú)立地是金屬元素、金屬絡(luò)合物、C、N、P、S、Se、H、或它們的組合，

在上述化學(xué)式1中，A¹和A²各自獨(dú)立地是選自所述組1中的一種，條件是A¹和A²中的至少一個(gè)包括Ti(iPrO)_x或Zr(nOBu)_x作為組1中的M¹或M²，其中x是0至3的整數(shù)，

[組2]

-CH₂-

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述金屬是堿金屬、堿土金屬、過(guò)渡金屬、或后過(guò)渡金屬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述金屬是Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Ag、Cd、Pt、Au、Hf、Rf或Rg。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述化合物包含由以下化學(xué)式2表示的部分：

[化學(xué)式2]

其中，在上述化學(xué)式2中，

A¹、A²以及A³各自獨(dú)立地是選自以下組1中的一種，

B¹和B²各自獨(dú)立地是選自以下組2中的一種，

R¹和R²各自獨(dú)立地是氫、羥基、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C10芳基、烯丙基、鹵素、以及被至少一種金屬元素、P、S、或Se取代的C1至C10烷氧基，

1≤n<750，1≤m<750，并且m+n滿足2≤m+n<1,500，

[組1]

其中，在所述組1中，

M¹和M²各自獨(dú)立地是金屬元素、金屬絡(luò)合物、C、N、P、S、Se、H、或它們的組合，

在上述化學(xué)式2中，A¹和A²各自獨(dú)立地是選自所述組1中的一種，條件是A¹和A²中的至少一個(gè)包括Ti(iPrO)_x或Zr(nOBu)_x作為組1中的M¹或M²，其中x是0至3的整數(shù)，

[組2]

-CH₂-

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述化合物具有1,000至200,000的重均分子量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，基于100wt％的所述溶劑，包括0.01wt％至50wt％的量的所述化合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述溶劑包括選自以下的至少一種：丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)、環(huán)己酮、以及乳酸乙酯。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑下層組合物，其中，所述抗蝕劑下層組合物進(jìn)一步包含交聯(lián)劑。