[發明專利]發光裝置

有效

• 申請號: 201310546084.4
• 申請日: 2013-11-06
• 公開（公告）號: CN103811632A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 古關正賢;矢野雄一;并木明生
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;C08L67/02;C08K5/3435;C08K5/3492
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;苗堃

技術領域

本發明涉及樹脂殼體內填充有用于封裝LED芯片的封裝材料的發光裝置（LED封裝件）。

背景技術

在圖3（a1）所示的發光裝置51（LED封裝件）中，作為殼體55的材料，以往主要使用PPA（聚鄰苯二甲酰胺）、液晶聚合物等。此外，為了使殼體55還起反射體的作用，在殼體55中添加白色染料，使其形成為反射率高的白色。但是，PPA因LED芯片52產生的熱、光、氧的侵入而劣化，如在圖3（a2）中以橫影線顯示的顏色褐變部58那樣，白色變成褐色，因此，反射率降低，封裝件亮度也降低，成為影響發光裝置51使用壽命的原因。

為了解決該褐變的問題，有人提出使用PCT（Polycyclohexylene?Dimethylene?Terephthalate，聚環己烯二亞甲基對苯二甲酸酯）等高耐熱性聚合物作為殼體材料（專利文獻1～3）。

此外，由于熱、光、氧侵入等，殼體55、封裝材料56和晶片接合材料54等有機成分會劣化。由于這種劣化，如圖3（a2）所示，殼體55與封裝材料56之間的界面有時會剝離，產生縫隙59，導致反射性能下降。但是，經該縫隙59，劣化成分會被釋放到封裝件外，因此，劣化成分自身并不是那么大的問題。

專利文獻：

專利文獻1：日本特開昭53-136982號公報

專利文獻2：日本特表2009-507990號公報

專利文獻3：日本特開2010-270177號公報

發明內容

本發明者試驗了圖3（b1）所示的、使用PCT等高耐熱性聚合物代替PPA作為殼體65的材料的發光裝置61，并曾設想，通過這種替換，殼體65的褐變會消失，能抑制封裝件亮度降低、使發光裝置長壽化。

但是，試驗結果表明，僅僅換成PCT等高耐熱性聚合物并不能實現長壽化。這是因為，即使在該試驗例中，殼體65、封裝材料66和晶片接合材料64中的有機成分雖然也會由于熱、光、氧的侵入等而劣化，但與以往相比，高耐熱性聚合物的殼體65的劣化少，因而，在殼體65與封裝材料66之間無法形成縫隙。這樣，殼體的劣化成分就不能釋放到封裝件外，而是滯留在局部，如圖3（b2）中以交差影線顯示的顏色黑變部68那樣，碳化（黑色化）發展，導致反射率降低。

然而，有時會向PCT中添加防止其分解、氧化、變色等用的穩定劑。對于PCT，通常選擇熔點在100℃左右的穩定劑。這是因為，PCT在超過其熔點溫度290℃時會分解，因此希望盡可能地降低熔融混煉溫度，這種情況下，若使用高熔點的穩定劑，則為了將其熔融混煉、使其均勻分散，混煉溫度的管理幅度就會變窄，因而應避免這種做法。

與此相對，本發明者發現，使用PCT作為殼體材料時，在該PCT中進一步使用通常不選擇的高熔點穩定劑，能抑制劣化成分變黑，并得出這種做法的優點超過需嚴密進行混煉溫度管理這一缺點的結論，從而完成了本發明。

本發明提供一種發光裝置，其包括LED芯片、由PCT形成的殼體和填充在殼體內部、將LED芯片封裝的封裝材料，其特征在于，使具有比LED芯片的結溫高80℃以上的熔點的穩定劑存在于殼體內壁面與封裝材料之間的界面或在從該界面起的300μm以內。

1.穩定劑

1-1.穩定劑的存在方式

作為使穩定劑存在于殼體內壁面與封裝材料之間的界面或在從該界面起的300μm以內的方式，無特殊限制，但可以列舉以下方式。

（a）通過將穩定劑添加到殼體中而使其存在于上述界面的方式。這種情況下，穩定劑的添加量優選為殼體材料量的0.1～3質量％。

（b）通過將穩定劑添加到封裝材料中而使其存在于上述界面的方式。這種情況下，穩定劑的添加量優選為封裝材料量的0.1～3質量％。

（c）通過將穩定劑添加到安裝LED芯片用的晶片接合材料中而使其存在于從上述界面起的300μm以內的方式。這種情況下，穩定劑的添加量優選為晶片接合材料量的0.1～20質量％，更優選為1～10質量％。

（d）通過使穩定劑附著在殼體內壁面而使其存在于上述界面的方式。這種情況下，穩定劑的添加量優選為封裝材料量的0.1～3質量％。

1-2.穩定劑的例示

視LED芯片的結溫而異，但作為具有比結溫高80℃以上的熔點的優選的穩定劑，可以列舉出以下例子。

（1）選自受阻胺系光穩定劑（HALS化合物）的化合物與羧酸或羧酸衍生物的鹽樣反應產物

·Nylostab?S-EED（科萊恩日本公司產品，注冊商標）熔點272℃