[發(fā)明專利]顯示面板、薄膜覆晶及包括該面板和薄膜覆晶的顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310546048.8 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103811529B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭埈豪;金準(zhǔn)三;金種煥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 于會(huì)玲;康泉 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示 面板 薄膜 包括 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板，包括：
包括顯示元件的顯示區(qū)域，和
與所述顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)，
所述多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)分開(kāi)預(yù)定距離從而形成第一焊盤(pán)行和第二焊盤(pán)行，所述多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)共同具有中心部分和橫向端部分；并且
所述第一焊盤(pán)行與所述第二焊盤(pán)行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加；
其中在所述多個(gè)導(dǎo)電焊盤(pán)中，設(shè)置在所述中心部分處的導(dǎo)電焊盤(pán)的長(zhǎng)度大于設(shè)置在至少一個(gè)所述橫向端部分處的導(dǎo)電焊盤(pán)的長(zhǎng)度。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中：
設(shè)置在所述中心部分處的所述導(dǎo)電焊盤(pán)的長(zhǎng)度大于設(shè)置在每個(gè)所述橫向端部分處的導(dǎo)電焊盤(pán)的長(zhǎng)度。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中：
所述導(dǎo)電焊盤(pán)的長(zhǎng)度從所述中心部分向每個(gè)所述橫向端部分逐漸減小。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中：
在同一焊盤(pán)行中彼此相鄰的導(dǎo)電焊盤(pán)之間的長(zhǎng)度差為3μm至7μm。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中：
所述第一焊盤(pán)行中的導(dǎo)電焊盤(pán)和所述第二焊盤(pán)行中的導(dǎo)電焊盤(pán)彼此不對(duì)齊。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，進(jìn)一步包括在所述非顯示區(qū)域中位于所述第一焊盤(pán)行和所述第二焊盤(pán)行之間的第三焊盤(pán)行；
其中所述第一焊盤(pán)行與所述第三焊盤(pán)行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加，并且所述第二焊盤(pán)行與所述第三焊盤(pán)行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加。
7.一種薄膜覆晶，包括：
絕緣層；
在所述絕緣層上的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，和
連接到所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的驅(qū)動(dòng)芯片；
所述第一導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層的切除部分暴露從而形成第一杠行，所述第二導(dǎo)電層通過(guò)所述絕緣層的所述切除部分暴露從而形成第二杠行，
所述第一杠行和所述第二杠行每個(gè)包括彼此分開(kāi)的多個(gè)導(dǎo)電杠，所述多個(gè)導(dǎo)電杠共同具有中心部分和橫向端部分，并且
所述第一杠行與所述第二杠行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加；
其中，設(shè)置在所述中心部分處的導(dǎo)電杠的長(zhǎng)度大于設(shè)置在每個(gè)所述橫向端部分處的導(dǎo)電杠的長(zhǎng)度。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶，其中：
所述導(dǎo)電杠的長(zhǎng)度從所述中心部分向每個(gè)所述橫向端部分逐漸減小。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶，其中：
在同一杠行中彼此相鄰的導(dǎo)電杠之間的長(zhǎng)度差為3μm至7μm。
10.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶，其中：
布置在所述第一杠行中的導(dǎo)電杠和所述第二杠行中的導(dǎo)電杠彼此不對(duì)齊。
11.如權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶，進(jìn)一步包括在所述第一杠行和所述第二杠行之間的第三杠行；
其中所述第一杠行與所述第三杠行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加，并且所述第二杠行與所述第三杠行之間的距離從所述中心部分到兩個(gè)所述橫向端部分逐漸增加。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
