[發(fā)明專(zhuān)利]外延基板及制作III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310545985.1
• 申請(qǐng)日: 2010-11-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103606817A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 善積祐介;鹽谷陽(yáng)平;京野孝史;住友隆道;嵯峨宣弘;足立真寬;住吉和英;德山慎司;高木慎平;池上隆俊;上野昌紀(jì);片山浩二
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/343
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/343;B82Y20/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 權(quán)太白;謝麗娜

1.一種外延基板，其用于III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件，其包括：

基板，其具有由六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半極性主面；以及

半導(dǎo)體積層，其設(shè)于上述基板的上述半極性主面上，

上述半導(dǎo)體積層包含用于激光器構(gòu)造體的半導(dǎo)體區(qū)域，

上述半導(dǎo)體區(qū)域包括由第1導(dǎo)電型氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成的第1包覆層、由第2導(dǎo)電型氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成的第2包覆層、及設(shè)于上述第1包覆層與上述第2包覆層之間的活性層，

上述第1包覆層、上述第2包覆層及上述活性層沿上述半極性主面的法線軸排列，

上述活性層包含氮化鎵系半導(dǎo)體層，

上述基板的上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的c軸，相對(duì)于上述法線軸向上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的m軸方向以角度ALPHA傾斜，

上述法線軸與上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的c軸所成的角度ALPHA為45度以上80度以下或100度以上135度以下的范圍，

上述半導(dǎo)體積層包含沿表示上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的a軸方向的基準(zhǔn)軸延伸的構(gòu)造物。

2.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物在上述a軸方向具有230μm以上的長(zhǎng)度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物在上述半導(dǎo)體積層的上表面具有在上述a軸方向延伸的表面形態(tài)。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物包含上述半導(dǎo)體積層的上表面上的凹陷。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物設(shè)于到達(dá)上述半導(dǎo)體積層的上表面的堆垛層錯(cuò)的位置。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物相對(duì)于上述a軸方向形成-0.5度以上及+0.5度以下的范圍的偏移角。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物相對(duì)于上述a軸方向形成-0.3度以上及+0.3度以下的范圍的偏移角。

8.如權(quán)利要求1所述的外延基板，其中，上述構(gòu)造物包含在由水銀燈激發(fā)的發(fā)光像中被觀察為暗區(qū)域的缺陷區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的外延基板，其中，

上述發(fā)光像中的暗區(qū)域的長(zhǎng)邊在上述基準(zhǔn)軸的方向延伸，

上述長(zhǎng)邊具有230μm以上的長(zhǎng)度。

10.如權(quán)利要求8或9所述的外延基板，其中，上述長(zhǎng)邊與上述a軸方向所成的偏移角在-0.5度以上+0.5度以下的范圍。

11.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述長(zhǎng)邊與上述a軸方向所成的偏移角在-0.3度以上+0.3度以下的范圍。

12.如權(quán)利要求8至11中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述暗區(qū)域包含設(shè)于上述活性層的結(jié)晶缺陷。

13.如權(quán)利要求8至12中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，與上述a軸正交的平面上的剖面形狀在上述結(jié)晶缺陷的至少一部分中為六邊形。

14.如權(quán)利要求8至13中任一項(xiàng)所述的外延基板，其中，上述暗區(qū)域通過(guò)攝氏800度以上的溫度的熱處理而擴(kuò)大。

15.一種制作III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的方法，其包括如下步驟：

準(zhǔn)備權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)的外延基板；

使用上述外延基板，形成具有陽(yáng)極電極及陰極電極的基板產(chǎn)物；

在上述基板產(chǎn)物上形成以上述外延基板的上述構(gòu)造物為基準(zhǔn)界定了方向的刻劃標(biāo)記；以及

通過(guò)上述基板產(chǎn)物的擠壓而進(jìn)行上述基板產(chǎn)物的分離，形成另一基板產(chǎn)物及激光條，

上述激光條具有通過(guò)上述分離而形成的第1及第2端面，

上述第1及第2端面構(gòu)成該III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的激光諧振器，

上述基板產(chǎn)物包括激光器構(gòu)造體，該激光器構(gòu)造體包括具有由六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的半極性主面的上述基板、及形成于上述半極性主面上的半導(dǎo)體區(qū)域，

上述陽(yáng)極電極及陰極電極形成于上述激光器構(gòu)造體上，

上述第1及第2端面與由上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的m軸及上述法線軸所界定的m-n面交叉。