[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體組件的非導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310545537.1
• 申請(qǐng)日: 2013-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN104637921B
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許宗能;李健;杜鵬;鮑東興
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/532
• 分類號(hào): H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 無錫互維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅

1.一種半導(dǎo)體組件非導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：

⑴先在阻擋金屬層上淀積第一非導(dǎo)電性材料層，在第一非導(dǎo)電性材料層上淀積第二非導(dǎo)電性材料層，在該第二非導(dǎo)電性材料層上淀積氮氧化硅層，在該氮氧化硅層上淀積第三非導(dǎo)電性材料層；

⑵在第三非導(dǎo)電性材料層上形成通孔的光刻膠圖形；

⑶以通孔的光刻膠圖形為掩膜，進(jìn)行第一次蝕刻工藝，在第三非導(dǎo)電性材料層、氮氧化硅層中形成通孔；

⑷繼續(xù)以通孔的光刻膠圖形為掩膜，進(jìn)行第二次蝕刻工藝，在所述第二非導(dǎo)電性材料層、第一非導(dǎo)電性材料層中形成通孔；

⑸在通孔中填充導(dǎo)電材料，在第三非導(dǎo)電性材料層上淀積金屬形成介層窗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件非導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述第一非導(dǎo)電性材料層為摻硼的SiO₂層，所述第二非導(dǎo)電性材料層為二氧化硅層，所述第三非導(dǎo)電性材料層為二氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件非導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：所述介層窗由金屬鋁或銅或鋁銅合金中的一種構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件非導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：相鄰所述通孔之間的距離大于相鄰所述介層窗之間的距離。