[發明專利]一種氮化物發光二極管的外延結構

有效

• 申請號: 201310543241.6
• 申請日: 2013-11-06
• 公開（公告）號: CN103594579A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 吳小明;劉軍林;江風益
• 申請（專利權）人: 南昌黃綠照明有限公司;南昌大學
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/04;H01L33/12
• 代理公司: 江西省專利事務所 36100
• 代理人: 張文

1.一種氮化物發光二極管的外延結構，包括襯底、依次形成于襯底上的緩沖層、n型層、多量子阱層和p型層，其特征在于：所述n型層由從下向上依次疊加的n型GaN層、n型層內應力釋放層、n型層內勢壘阻擋層和n型層內電子注入層組成。

2.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于：n型層內勢壘阻擋層不摻雜，生長于n型GaN層與多量子阱層之間。

3.根據權利要求1或2所述的外延結構，其特征在于：n型層內勢壘阻擋層由Al_xGa_1-xN構成，其中0≤x≤1。

4.根據權利要求3所述的外延結構，其特征在于：n型層內勢壘阻擋層在V形坑側壁與平臺生長的厚度比為r，且r>1。

5.根據權利要求4所述的外延結構，其特征在于：n型層內勢壘阻擋層在高溫高壓H₂載氣下生長。

6.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于：n型層多量子阱層由阱In_xGa_1-xN和壘Al_xIn_yGa_1-x-yN周期結構組成，周期數為k，阱的禁帶寬度小于壘的禁帶寬度，其中：阱In_xGa_1-xN中：0≤x≤1；壘Al_xIn_yGa_1-x-yN中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1；周期數1≤k≤20。

7.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于：p型層由p-Al_xIn_yGa_1-x-yN構成，其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，p層由p-Al_xInyGa_1-x-yN：Mg構成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

8.根據權利要求1所述的外延結構，其特征在于：襯底為Al₂O₃、SiC、Si或GaN中的一種。