[發(fā)明專利]晶體管及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310543037.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104617047B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;張城龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L29/10
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，

在所述襯底上形成第一偽柵和位于所述第一偽柵側(cè)壁上的第一側(cè)墻；

以所述第一側(cè)墻為掩模，分別在所述第一偽柵兩側(cè)的襯底中形成第一溝槽；

在所述第一偽柵兩側(cè)的第一溝槽中分別形成第一應(yīng)力層；

去除所述第一側(cè)墻，并在所述第一偽柵的側(cè)壁形成第二側(cè)墻；

在所述第二側(cè)墻露出的所述第一應(yīng)力層上形成第二偽柵；

去除所述第一偽柵，露出所述襯底在第一應(yīng)力層之間的部分；

在所述襯底在第一應(yīng)力層之間的部分中形成第二應(yīng)力層，所述第二應(yīng)力層提供的應(yīng)力與所述第一應(yīng)力層提供的應(yīng)力類型相反；

在所述第二應(yīng)力層中形成源區(qū)或者漏區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在提供襯底的步驟中，所述襯底為硅襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一偽柵的步驟中，所述第一偽柵采用硅作為材料。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一側(cè)墻的步驟中，所述第一側(cè)墻為氮化硅側(cè)墻或者氧化硅側(cè)墻。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一溝槽的步驟中，所述第一溝槽為∑型溝槽。

6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用干法蝕刻以及濕法蝕刻形成所述∑型溝槽。

7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述濕法蝕刻采用四甲基氫氧化銨作為蝕刻劑。

8.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一應(yīng)力層的步驟中，采用選擇性外延生長(zhǎng)的方式形成所述第一應(yīng)力層。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二側(cè)墻的步驟中，所述第二側(cè)墻為氮化硅或者氧化硅側(cè)墻。

10.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二偽柵的步驟中，所述第二偽柵采用硅作為材料。

11.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二偽柵的步驟中，采用選擇性外延生長(zhǎng)的方式形成所述第二偽柵。

12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除第一偽柵的步驟中，采用選擇性蝕刻的方法去除所述第一偽柵。

13.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第二應(yīng)力層的步驟包括：去除所述襯底在第一應(yīng)力層之間的部分，以形成第二溝槽；

在所述第二溝槽中形成所述第二應(yīng)力層。

14.如權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，采用選擇性蝕刻的方法去除所述襯底。

15.如權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，在形成第二應(yīng)力層的步驟中，采用選擇性外延生長(zhǎng)的方式形成所述第二應(yīng)力層。

16.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第二應(yīng)力的步驟包括：對(duì)所述襯底在第一應(yīng)力層之間的部分進(jìn)行離子摻雜，以在襯底中形成摻雜區(qū)域，所述摻雜區(qū)域?yàn)樗龅诙?yīng)力層。

17.如權(quán)利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述晶體管為NMOS，所述襯底為硅襯底，采用碳離子進(jìn)行離子摻雜，以形成碳化硅材料的第二應(yīng)力層。

18.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一應(yīng)力層的步驟中，所述第一應(yīng)力層為鍺硅應(yīng)力層；在形成第二應(yīng)力層的步驟中，所述第二應(yīng)力層為碳化硅應(yīng)力層。