[發明專利]層間導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201310542780.8
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN104051330A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/115;G11C16/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種內連導體結構的制造方法，包括：

形成一襯墊疊層，該襯墊疊層與一電路的個別的有源層耦接；

形成多個層間導體，這些層間導體在一X方向上延伸排列呈多列，且與該襯墊疊層中的襯墊對應的多個著陸區接觸，相鄰的列在一Y方向上彼此分開，該Y方向垂直于該X方向，在同一列的這些層間導體間在該X方向上具有一第一間距，且在相鄰的列的這些層間導體間在該X方向上的偏移量，少于該第一間距；以及

形成多個內連導體于這些層間導體上并與這些層間導體接觸，這些內連導體在該Y方向上延伸且具有一第二間距，該第二間距小于該第一間距。

2.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，包括為該襯墊疊層中的這些層間導體形成N列開孔，其中N為大于2的整數。

3.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中該X方向平行于一第一側。

4.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中形成這些層間導體的步驟更包括：

在該襯墊疊層上形成多列接點開孔，用以于這些有源層上曝露這些著陸區，使同一列的這些著陸區相對于相鄰的列的這些著陸區，在該Y方向上具有部分偏移；

填充一絕緣材料于這些接點開孔；

于這些接點開孔的絕緣材料中形成多個接觸開孔，以于這些著陸區上曝露這些接觸區域；及

形成這些層間導體于這些接觸開孔中。

5.根據權利要求4所述的內連導體結構的制造方法，其中在形成這些層間導體的步驟中，包括在一第一列中形成多個層間導體延長部分于靠近這些層間導體上端的左側與右側其中之一，且在相鄰的第二列中形成多個層間導體延長部分于靠近這些層間導體上端的左側與右側其中之另一。

6.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中這些內連導體沿該第一側的垂直方向延伸超過該襯墊疊層。

7.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中形成該襯墊疊層的步驟包括圖案化這些有源層，以形成平行的半導體材料條，這些半導體材料條各別終止于這些襯墊，以作為存儲單元的通道。

8.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中形成該襯墊疊層的步驟包括圖案化這些有源層，以形成平行的半導體材料條，這些半導體材料條各別終止于這些襯墊，以作為存儲單元的字線。

9.根據權利要求1所述的內連導體結構的制造方法，其中：

形成這些層間導體的步驟包括形成包含有多個底部的層間導體與層間導體延長部分，這些層間導體延長部分從這些底部的上端延伸，這些層間導體延長部分在該X方向上具有一層間導體延長部分寬度，這些底部的上端在該X方向上具有一上端寬度，該層間導體延長部分寬度小于該上端寬度，于相鄰的列的這些層間導體延長部分以一側邊偏移距離在該X方向上產生偏移，該側邊偏移距離大于該層間導體延長部分寬度；及

形成這些內連導體于這些層間導體延長部分之上并接觸這些層間導體延長部分。

10.一種裝置，包括：

一襯墊疊層，耦接于一電路的個別的有源層；

多個層間導體，在一X方向上延伸排列呈多列，且與該襯墊疊層中的襯墊對應的多個著陸區接觸；

相鄰的列在一Y方向上彼此分開，該Y方向垂直于該X方向；

同一列的這些層間導體間在該X方向上具有一第一間距；

相鄰的列的這些層間導體間在該X方向上的偏移量，少于該第一間距；以及

多個內連導體，位于這些層間導體的上方并與這些層間導體接觸，這些內連導體在該Y方向上延伸且具有一第二間距，該第二間距小于該第一間距。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中這些層間導體是被一絕緣填充物所圍繞。

12.根據權利要求10所述的裝置，其中該X方向平行于一第一側。

13.根據權利要求10所述的裝置，其中這些內連導體延伸超過該襯墊疊層且垂直于該第一側。

14.根據權利要求10所述的裝置，其中這些內連導體包括一摻雜的半導體材料。

15.根據權利要求10所述的裝置，其中這些內連導體包括一金屬材料。