[發明專利]一種加速穩定碲化鎘薄膜太陽能模塊最大功率的方法有效
| 申請號： | 201310542636.4 | 申請日： | 2013-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN104638051A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發明（設計）人： | 張征宇;蕭國瑞 | 申請（專利權）人： | 恒基偉業知識產權管理顧問（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人： | 李茜 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 加速 穩定 碲化鎘 薄膜 太陽能 模塊 最大 功率 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種加速穩定碲化鎘薄膜太陽能模塊最大功率的方法，其特征在于：將碲化鎘薄膜太陽能模塊外加大小為該太陽能模塊短路電流0.5?–?2倍的電流，持續時間為2?-?30分鐘。
2.根據權利要求1所述的一種加速穩定碲化鎘薄膜太陽能模塊最大功率的方法，其特征在于：將加過電流的太陽能模塊進行光照直到最大功率達到穩定。
3.根據權利要求2所述的一種加速穩定碲化鎘薄膜太陽能模塊最大功率的方法，其特征在于：所述的方法包括提高光照強度來減短最大功率穩定制程。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
