[發明專利]CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片

有效

• 申請號: 201310542472.5
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN103604784A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 施朝霞;曹全君;李如春
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;H01L27/144
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;黃美娟

1.CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片，包括芯片本體，其特征在于：所述的芯片本體包括硅襯底、SU-8厚膠、信號處理電路、光電傳感陣列、有源預處理放大陣列和異步時序控制電路，所述的SU-8厚膠固定在所述的硅襯底上表面，所述的SU-8厚膠上設置至少一個熒光反應池組，每個所述的熒光反應池組由至少一個微反應池構成；位于熒光反應池組正下方的硅襯底上鋪設相應的信號處理電路、光電傳感陣列；所述的光電傳感陣列的信號輸入端與所述的異步時序控制電路的信號輸出端信號相連、所述的光電傳感陣列的信號輸出端與所述的有源預處理放大陣列的信號輸入端相連；所述的有源預處理放大陣列的信號輸出端與所述的信號處理電路的信號輸入端信號連接、并且所述的信號處理電路的信號輸出端與壓焊塊連接。

2.如權利要求1所述的CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片，其特征在于：所述的光電傳感陣列與所述的信號處理電路之間設置金屬屏蔽層。

3.如權利要求2所述的CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片，其特征在于：所述的光電傳感陣列為與CMOS工藝兼容的PN結光電二極管形成四通道光感陣列。

4.如權利要求3所述的CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片，其特征在于：所述的SU-8厚膠上設有四個對稱分布的熒光反應池組，并且每個熒光反應池組均有四路微反應池對稱排列。

5.如權利要求4所述的CMOS接觸式熒光檢測分析陣列傳感芯片，其特征在于：所述的微反應池深度為100μm。