[發明專利]一種高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3 鐵電薄膜及其制備方法有效
| 申請號: | 201310542467.4 | 申請日: | 2013-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN103601249A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 談國強;劉文龍 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C01G49/00 | 分類號: | C01G49/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 陸萬壽 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 剩余 極化 強度 介電常數 bife sub 0.96 mn 0.04 cr 薄膜 及其 | ||
技術領域
本發明屬于功能材料領域,具體涉及一種高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3鐵電薄膜及其制備方法。
背景技術
BiFeO3作為極少數一種在室溫下同時具有鐵電性,鐵磁性,反鐵電以及反鐵磁性的新型單相多鐵材料。BiFeO3具有三方扭曲的簡單鈣鈦礦結構,其鐵電居里溫度室溫Tc=810℃,鐵磁尼爾溫度TN=380℃。BiFeO3薄膜在信息存儲、自旋電子器件、信息存儲、圖像顯示、熱釋電效應、小型化集成電子器件等方面廣泛應用潛力,從而引起了人們極大的興趣。但是,純相BiFeO3薄膜由于較大泄漏電流密度的問題,導致它無法獲得飽和且較大剩余極化強度的電滯回線,從而限制了它的實際應用。此外,較低的介電常數也限制了BiFeO3薄膜在電容器等介電性能方面的應用。
發明內容
本發明的目的在于提供一種高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3鐵電薄膜及其制備方法,該方法設備要求簡單,實驗條件容易達到,制備的薄膜均勻性較好,摻雜量容易控制,并且能夠大幅度提高薄膜的鐵電性能和介電性。
為了達到上述目的,本發明制備高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3鐵電薄膜的方法,包括以下步驟:
1)將硝酸鉍、硝酸鐵、乙酸錳和硝酸鉻按1.05:(0.96-y):0.04:y的摩爾比混合后溶于乙二醇甲醚中,然后向其中加入醋酸酐,使硝酸鉍、硝酸鐵、乙酸錳和硝酸鉻溶解,攪拌均勻后得到BiFe0.96-yMn0.04CryO3前驅液;其中,y=0.00~0.05;BiFe0.96-yMn0.04CryO3前驅液中金屬離子濃度為0.003~0.3mol/L;
2)采用旋涂法將BiFe0.96-yMn0.04CryO3前驅液勻膠在表面達到原子清潔度的FTO/glass基片上制備薄膜,勻膠結束后,在220~260℃烘烤得干膜,再在550℃保溫10min進行層層退火處理得到高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3鐵電薄膜。
所述的步驟1)中乙二醇甲醚和醋酸酐的體積比為(3~4):1。
所述的步驟1)中y=0.01~0.05。
所述的步驟1)中攪拌均勻的時間為3h。
所述的步驟2)中的烘烤時間為5~10min。
一種該方法制備的高剩余極化強度和高介電常數BiFe0.96-yMn0.04CryO3鐵電薄膜的化學組成為BiFe0.96-yMn0.04CryO3,y=0.00~0.05;其結構為三方結構R3c:H空間結構群和三方結構R3m:R結構空間群并存。
y=0.02,該鐵電薄膜的化學組成為BiFe0.94Mn0.04Cr0.02O3,1kHz頻率,726.56kV/cm測試電場下的飽和極化強度為126.24μC/cm2,剩余極化強度為108.89μC/cm2,矯頑場為329.97kV/cm;在1kHz~1MHz的測試頻率范圍內,BiFe0.94Mn0.04Cr0.02O3薄膜的介電常數變化范圍為300~211。
本發明的進一步改進在于,所述的步驟3)中勻膠速度為3500~4000r/min,勻膠時間為15s。
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