[發(fā)明專利]芯片與靜電放電保護(hù)組件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310542131.8
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN104576635A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳哲宏
• 申請（專利權(quán)）人: 創(chuàng)杰科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;趙根喜

1.一種靜電放電保護(hù)組件，其特征在于，該靜電放電保護(hù)組件包括：

一N型阱；

一P型摻雜區(qū)，配置于該N型阱中；

一第一N型摻雜區(qū)，配置于該P(yáng)型摻雜區(qū)中；

多個(gè)N型子摻雜區(qū)，并列配置于該P(yáng)型摻雜區(qū)中，所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)與該第一N型摻雜區(qū)不接觸，并且所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)電性連接一第一電源軌線；

一第一N+型摻雜區(qū)，配置于該第一N型摻雜區(qū)中；

一第一P+型摻雜區(qū)，配置于該第一N型摻雜區(qū)中，其中該第一N+型摻雜區(qū)與該第一P+型摻雜區(qū)用以電性連接一焊墊；

一第二N+型摻雜區(qū)，配置于該P(yáng)型摻雜區(qū)中；以及

一第二P+型摻雜區(qū)，配置于該P(yáng)型摻雜區(qū)中，其中該第二P+型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)電性連接一第二電源軌線，

其中所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)配置在該第一N型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)之間。

2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)組件，其特征在于該靜電放電保護(hù)組件為一硅控整流器，并且該N型阱位于一基底中，并且該N型阱的摻雜濃度低于該第一N型摻雜區(qū)的摻雜濃度。

3.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)組件，其特征在于當(dāng)該第一電源軌線電性連接一系統(tǒng)電壓且該第二電源軌線電性連接一接地電壓時(shí)，所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)與該P(yáng)型摻雜區(qū)之間產(chǎn)生空乏區(qū)，以阻斷該第一N+型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)之間的通道電流。

4.如權(quán)利要求2所述的靜電放電保護(hù)組件，其特征在于當(dāng)該第一電源軌線電性連接一系統(tǒng)電壓且該第二電源軌線電性連接一接地電壓時(shí)，該靜電放電保護(hù)組件的一保持電壓與一觸發(fā)電壓皆上升，并且該保持電壓大于該系統(tǒng)電壓。

5.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)組件，其特征在于該P(yáng)型摻雜區(qū)為P型漸進(jìn)區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的靜電放電保護(hù)組件，其特征在于該第一N型摻雜區(qū)為N型漸進(jìn)區(qū)，并且所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)為漸進(jìn)區(qū)。

7.一種靜電放電保護(hù)組件的制造方法，其特征在于，該制造方法包括：

提供一基底；

于該基底中形成一N型阱；

于該N型阱中形成一P型摻雜區(qū)；

于該P(yáng)型摻雜區(qū)中形成一第一N型摻雜區(qū)；

于該P(yáng)型摻雜區(qū)中形成并列的多個(gè)N型子摻雜區(qū)，并且所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)與該第一N型摻雜區(qū)不接觸，并且所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)電性連接一第一電源軌線；

于該第一N型摻雜區(qū)中形成一第一N+型摻雜區(qū)；

于該第一N型摻雜區(qū)中形成一第一P+型摻雜區(qū)，并且該第一P+型摻雜區(qū)鄰接于該第一N+型摻雜區(qū)，其中該第一N+型摻雜區(qū)與該第一P+型摻雜區(qū)用以電性連接一焊墊；

于該P(yáng)型摻雜區(qū)中形成一第二N+型摻雜區(qū)；以及

于該P(yáng)型摻雜區(qū)中形成一第二P+型摻雜區(qū)，并且該第二P+型摻雜區(qū)鄰接于該第二N+型摻雜區(qū)，其中該第二P+型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)電性連接一第二電源軌線。

8.如權(quán)利要求7所述的靜電放電保護(hù)組件的制造方法，其特征在于所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)配置在該第一N型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)之間。

9.如權(quán)利要求7所述的靜電放電保護(hù)組件的制造方法，其特征在于該靜電放電保護(hù)組件為一硅控整流器，并且該N型阱位于一基底中。

10.如權(quán)利要求7所述的靜電放電保護(hù)組件的制造方法，其特征在于當(dāng)該第一電源軌線電性連接一系統(tǒng)電壓且該第二電源軌線電性連接一接地電壓時(shí)，所述多個(gè)N型子摻雜區(qū)與該P(yáng)型摻雜區(qū)之間產(chǎn)生空乏區(qū)，以阻斷該第一N+型摻雜區(qū)與該第二N+型摻雜區(qū)之間的通道電流。

11.如權(quán)利要求10所述的靜電放電保護(hù)組件的制造方法，其特征在于當(dāng)該第一電源軌線電性連接一系統(tǒng)電壓且該第二電源軌線電性連接一接地電壓時(shí)，該靜電放電保護(hù)組件的一保持電壓與一觸發(fā)電壓皆上升，并且該保持電壓大于該系統(tǒng)電壓。

12.一種芯片，其特征在于，該芯片包括：

一核心電路；

一第一電源軌線；

一第二電源軌線；以及

多個(gè)焊墊單元，圍繞該核心電路，各該焊墊單元包括：

一焊墊，電性連接該核心電路；以及

如權(quán)利要求1所述的一靜電放電保護(hù)組件，配置于該焊墊旁，并且電性連接該第一電源軌線與該第二電源軌線；

其中每一所述焊墊單元中的該靜電放電保護(hù)組件并聯(lián)設(shè)置于該第一電源軌線與該第二電源軌線之間。