[發明專利]一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201310541672.9 | 申請日： | 2013-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN103572235A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 盧明輝;張善濤 | 申請（專利權）人： | 無錫英普林納米科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/28;C23C14/06 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光柵 復合 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）將Pt/TiO2/SiO2/Si襯底清潔、干燥后，旋涂一層光刻膠，采用微加工方法在襯底上制備出光柵狀結構；
（2）利用薄膜制備技術在第（1）步所得到樣品的光柵狀結構上沉積一層第一種磁性材料的薄膜，通過控制薄膜沉積時間，控制其厚度，襯底溫度控制在室溫；再通過快速退火技術，使得磁性薄膜晶化；
（3）選擇適當的溶劑，通過超聲清洗清除第（2）步所得樣品上附著的光刻膠及光刻膠正上方的薄膜，得到由磁性材料薄膜構成的光柵狀襯底；
（4）再次利用薄膜制備技術，在所述光柵狀襯底上沉積一層鐵電性材料的薄膜，并通過控制薄膜沉積時間，使得鐵電材料薄膜的厚度與磁性材料薄膜的厚度相等；
（5）通過快速退火，使得復合多鐵薄膜進一步晶化。
2.根據權利要求1所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）的光柵狀結構的周期為2μm，線寬為1μm。
3.根據權利要求1或2所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中的微加工方法為光刻方法。
4.根據權利要求1或2所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）和（4）中的薄膜制備技術為磁控濺射法或者脈沖激光沉積法。
5.根據權利要求1或2所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中的磁性材料薄膜厚度為100nm。
6.根據權利要求1或2所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中的溶劑為丙酮或者酒精。
7.根據權利要求1或2所述的一種光柵狀復合多鐵薄膜的制備方法，其特征在于，所述磁性材料為CoFe2O4，鐵電性材料為BaTiO3。
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