[發明專利]一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構及其制備方法有效
| 申請號： | 201310541304.4 | 申請日： | 2013-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN103569943A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 顧正彬;吳紅艷;張善濤;陳延峰 | 申請（專利權）人： | 無錫英普林納米科技有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/02 | 分類號： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摩擦 石墨 復合 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構，其特征在于，復合結構位于SiO2/Si襯底上，由石墨烯和金屬鉑的微結構陣列組成，其中所述石墨烯與襯底的SiO2層接觸，所述金屬鉑的微結構陣列生長在石墨烯的表面。
2.根據權利要求1所述的一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構，其特征在于，所述石墨烯的層數為4至10層；所述SiO2/Si襯底中SiO2層的厚度為300nm；金屬鉑的微結構陣列的厚度為60至120nm。
3.根據權利要求1或2所述的一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構，其特征在于，所述金屬鉑的微結構陣列具體為：大圓柱和小圓柱隔行交錯排列構成。
4.根據權利要求3所述的一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構，其特征在于，所述大圓柱的直徑為150至320μm，小圓柱的直徑為80至200μm。
5.如權利要求1所述一種耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）利用化學氣相沉積方法在銅箔上生長石墨烯材料，石墨烯材料的層數控制在4到10層之間；
（2）利用FeCl3溶液腐蝕銅箔，然后將石墨烯轉移到SiO2/Si襯底上；
（3）使用直流磁控濺射方法和掩模版，在石墨烯的表面生長金屬鉑的微結構陣列，即獲得耐摩擦的鉑/石墨烯復合結構。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）在利用FeCl3溶液腐蝕銅箔之前，先在石墨烯的表面旋涂一層PMMA，所用FeCl3溶液的濃度為0.5mol/L，腐蝕溫度為室溫。
7.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）化學氣相沉積方法中，采用三溫區雙管CVD沉積爐，采用的前驅體為甲烷，稀釋氣體包括氬氣和氫氣，這三種材料的純度均≥99.99%。
8.根據權利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中，直流磁控濺射的功率為200W，時間為15分鐘，金屬鉑的微結構陣列厚度為100nm。
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