[發明專利]批處理式基板處理裝置有效
| 申請號: | 201310541006.5 | 申請日: | 2013-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103811380B | 公開(公告)日: | 2017-12-22 |
| 發明(設計)人: | 李炳一;李永浩;金熙錫 | 申請(專利權)人: | 泰拉半導體株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司11327 | 代理人: | 姜虎,陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 批處理 式基板 處理 裝置 | ||
1.一種批處理式基板處理裝置,具備以上下層疊方式加載多個基板的晶舟,其特征在于,包括:
環狀支架,用于支撐基板的底部,以載置基板;
支撐桿,從晶舟的垂直支架突出配置,用于支撐環狀支架的底部,以載置環狀支架;
末端執行器,從環狀支架的外周面的外側沿著與環狀支架同一平面上的空間進入晶舟,支撐基板的底部并以托底方式將基板加載至晶舟或從晶舟卸載,
環狀支架的直徑為基板的直徑的0.6倍至0.8倍。
2.一種批處理式基板處理裝置,具備以上下層疊方式加載多個基板的晶舟,其特征在于,包括:
環狀支架,支撐基板的底部,以載置基板;
支撐桿,從晶舟的垂直支架突出配置,并被分隔成91度至150度的間隔,以三點支撐的方式載置環狀支架;
末端執行器,從環狀支架的外周面的外側沿著與環狀支架同一平面上的空間進入晶舟,支撐基板的底部并以托底方式將基板加載至晶舟或從晶舟卸載,
環狀支架的直徑為基板的直徑的0.6倍至0.8倍。
3.根據權利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
在支撐桿的端部形成有臺階,以能夠固定并載置環狀支架。
4.根據權利要求1所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
基板的直徑為300mm,環狀支架的環寬為2mm至25mm。
5.根據權利要求4所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
環狀支架的環寬為2mm至5mm。
6.根據權利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
末端執行器具有U型叉的形狀。
7.根據權利要求6所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
末端執行器的兩內側面間的距離大于環狀支架的直徑,末端執行器的兩外側面間的距離小于基板的直徑。
8.根據權利要求2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
調整從垂直支架突出的支撐桿的突出角度,將環狀支架的三點支撐角度分隔成91度至150度的間隔。
9.根據權利要求2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
將從垂直支架突出的支撐桿配置成朝向環狀支架或基板的中心點的狀態下,調整垂直支架與相鄰的垂直支架間的配置角度,以將環狀支架的三點支撐角度分隔成91度至120度的間隔。
10.根據權利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
晶舟包括石英、碳化硅、石墨、碳復合材料以及硅中的至少一種。
11.根據權利要求1或2所述的批處理式基板處理裝置,其特征在于,
環狀支架包括石英、碳化硅、石墨、碳復合材料以及硅中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





