[發明專利]兩段式太陽能晶圓水平取放系統及其取放方法無效
| 申請號: | 201310540721.7 | 申請日: | 2013-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103700614A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發明(設計)人: | 陳瑞雄;李耕毅 | 申請(專利權)人: | 致茂電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/673;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京天平專利商標代理有限公司 11239 | 代理人: | 孫剛 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 段式 太陽能 水平 系統 及其 方法 | ||
1.一種兩段式太陽能晶圓水平取放系統,供由至少一個承載晶舟中汲取單片太陽能晶圓,且每一前述承載晶舟都形成有多個水平置放槽,每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽能晶圓,其特征在于該水平取放系統包括:
一個供吸附/去除吸附上述太陽能晶圓的吸附取放裝置,其中該吸附取放裝置具有一個吸附程度等于上述各個太陽能晶圓的重量、并與上述太陽能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態,以及一個吸附程度大于上述各個太陽能晶圓的重量、并與上述太陽能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態的高壓吸力狀態;
一個驅動該吸附取放裝置在一個承載位置及一個汲放區之間移動的驅動裝置;其中上述承載位置是對應于上述承載晶舟的上述水平置放槽;以及上述汲放區是遠離上述承載晶舟的區域;及
一個控制該驅動裝置驅動的處理裝置,以及當該吸附取放裝置位置對應于上述承載位置時,該處理裝置使該吸附取放裝置呈低壓吸力狀態汲取上述太陽能晶圓,且當該吸附取放裝置在遠離該承載晶舟的汲放區時,改換至上述高壓吸力狀態。
2.如權利要求1所述的水平取放系統,其特征在于,上述吸附取放裝置包括一組真空吸引/去除吸引上述待測太陽能晶圓的吸嘴。
3.如權利要求1所述的水平取放系統,其特征在于,該驅動裝置包括一組供該吸附取放裝置平行移動的致動滑軌。
4.如權利要求1所述的水平取放系統,其特征在于,更包括一個翻面裝置。
5.一種兩段式太陽能晶圓水平取放方法,供從至少一個承載晶舟中汲取單片太陽能晶圓,且每一前述承載晶舟都形成有多個水平置放槽,每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽能晶圓,該水平取放系統包括一個供吸附/去除吸附上述太陽能晶圓的吸附取放裝置、一個驅動該吸附取放裝置在一個承載位置及一個汲放區之間移動的驅動裝置及一個控制該驅動裝置與吸附取放裝置驅動的處理裝置,其中上述承載位置是對應于上述承載晶舟的上述水平置放槽;以及上述汲放區是遠離上述承載晶舟的區域,其特征在于該取放方法包括:
a)該吸附取放裝置位于上述承載位置汲取置放于該水平置放槽的上述太陽能晶圓,并受該處理裝置控制,令該吸附取放裝置維持一個吸附程度等于上述各個太陽能晶圓的重量、并與上述太陽能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態;
b)該吸附取放裝置受該驅動裝置驅動,遠離該承載晶舟的承載位置;及
c)該吸附取放裝置受該處理裝置控制,令吸附取放裝置維持一個吸附程度大于上述各個太陽能晶圓的重量、與上述太陽能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態的高壓吸力狀態。
6.如權利要求5所述的水平取放系統的取放方法,其特征在于,更包括該步驟c)后的步驟d),該吸附取放裝置受該驅動裝置驅動,吸附上述太陽能晶圓并移動至一個位于對應該汲放區的承載裝置時,去除吸附上述太陽能晶圓。
7.如權利要求5所述的水平取放系統的取放方法,其特征在于,更包括該步驟c)后的步驟d),該吸附取放裝置受該驅動裝置驅動,吸附上述太陽能晶圓并移動至一個位于對應該汲放區、供將上述太陽能晶圓翻面的翻面裝置時,去除吸附上述太陽能晶圓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





