[發明專利]多功能小功率黃光晶元芯片

在審

• 申請號: 201310539781.7
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN104614655A
• 公開（公告）日: 2015-05-13
• 發明（設計）人: 周曉蕾
• 申請（專利權）人: 上海雷盤電子科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.本發明多功能小功率黃光晶元芯片用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值；正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）；若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降；若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了；　2．電流測量法用萬用表測量激光二極管驅動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調節激光功率電位器（見文段4-76），而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化；若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞；

變容的檢測

.正、負極的判別有的變容二極管的一端涂有黑色標記，這一端即是負極，而另一端為正極；還有的變容二極管的管殼兩端分別涂有黃色環和紅色環，紅色環的一端為正極，黃色環的一端為負極；　也可以用數字萬用表的二極管檔，通過測量變容二極管的正、反向電壓降來判斷出其正、負極性；正常的變容二極管，在測量其正向電壓降時，表的讀數為0.58~0.65V；測量其反向電壓降時，表的讀數顯示為溢出符號“1”；在測量正向電壓降時，紅表筆接的是變容二極管的正極，黑表筆接的是變容二極管的負極；　2．性能好壞的判斷用指針式萬用表的R×10k檔測量變容二極管的正、反向電阻值；正常的變容二極管，其正、反向電阻值均為∞（無窮大）；若被測變容二極管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。

2.本發明多功能小功率黃光晶元芯片雙基極的檢測

電極的判別將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆測量雙基極二極管三個電極中任意兩個電極間的正反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發射極E；再將黑表筆接發射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個電極，一般會測出兩個不同的電阻值；有阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另一個電極即是基極B1；　2．性能好壞的判斷雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷；用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發射極E，紅表筆依次接兩個基極（B1和B2），正常時均應有幾千歐至十幾千歐的電阻值；再將紅表筆接發射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大；　雙基極二極管兩個基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞；

橋堆的檢測

1.全橋的檢測大多數的整流全橋上，均標注有“?；”、“-”、“~”符號（其中“?；”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極；Rac電子資料網　檢測時，可通過分別測量“?；”極與兩個“~”極、“-”極與兩個“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞；若測得全橋內鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞；　2．半橋的檢測半橋是由兩只整流二極管組成，通過用萬用表分別測量半橋內部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常。

3.本發明多功能小功率黃光晶元芯片高壓硅堆檢測

高壓硅堆內部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯組成，檢測時，可用萬用表的R×10k檔測量其正、反向電阻值；正常的高壓硅堆，其正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無窮大；若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已軟擊穿損壞。