[發(fā)明專利]相變存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310539734.2
• 申請(qǐng)日: 2013-11-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103560205A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李俊燾;劉波;宋志棠;馮高明;朱南飛;任佳棟;徐佳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種相變存儲(chǔ)器的制作方法，該制作方法包含有：

提供一基底，在所述基底上形成一相變材料層；

在所述相變材料層上形成一電極層；

非等向性蝕刻所述相變材料層及電極層，形成倒梯形溝槽用于隔離出相變存儲(chǔ)單元；

涂布填充滿所述溝槽并包覆相變材料層及電極層的第一光阻層；

回刻使刻蝕后的光阻上表面高于所述相變材料層等于或低于所述電極層上表面；

沉積形成一上表面高于所述電極層的第一電介質(zhì)層；

涂布第二光阻層并圖形化形成寬度小于倒梯形溝槽最大寬度的第二溝槽；

以所述第二溝槽為窗口，刻蝕所述第一電介質(zhì)層后去除位于所述第一電介質(zhì)層下方的第一光阻層；形成位于電極層上的懸臂結(jié)構(gòu)；

形成包覆所述第一電介質(zhì)層和倒梯形溝槽的第二電介質(zhì)層，從而形成中空結(jié)構(gòu)；

形成第三電介質(zhì)層用于封蓋各中空結(jié)構(gòu)，形成空氣間隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述基底的表面包含有已經(jīng)制作完成的半導(dǎo)體組件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述相變材料層包括銻-碲化合物或者鍺-碲化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述電極層的材料是氮化鈦、鈦鋁氮或者鈦硅氮。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述回刻采用氧氣為刻蝕氣體的等離子體刻蝕技術(shù)或以氧氣為主刻蝕氣體，加入氮?dú)饣蜾寤瘹涞膹?fù)合氣體進(jìn)行等離子體刻蝕技術(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述第一、第二電介質(zhì)層材料為氧化硅、氮化硅或氮氧硅。

7.一種相變存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)包括：

一基底，形成于所述基底上的采用溝槽隔離的若干相變存儲(chǔ)單元；

相鄰所述相變存儲(chǔ)單元之間形成有空氣間隔；

所述相變存儲(chǔ)單元包括相變材料層、位于所述相變材料層上的電極層、位于所述電極層上的電介質(zhì)層以及并包覆所述第一電介質(zhì)層和溝槽的第二介質(zhì)層；所述第一電介質(zhì)層的寬度大于所述電極層從而形成懸臂結(jié)構(gòu)；所述空氣間隔形成于相鄰第二電介質(zhì)層之間；所述空氣間隔和相變存儲(chǔ)單元上方形成第三介質(zhì)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的相變存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述相變材料層以及所述電極層的縱截面為梯形。