[發(fā)明專利]硅片雙面拋光工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310539683.3 | 申請日： | 2013-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN103567857A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 余圖斌;賀賢漢;余卓朋;李星 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | B24B37/10 | 分類號： | B24B37/10;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責(zé)任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅片 雙面 拋光 工藝 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.硅片雙面拋光工藝，其特征在于，包括如下步驟：
第一步，硅片正面處理，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；
第二步，硅片背面處理，具體為在硅片正面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片背面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片正面的粘結(jié)劑，對硅片表面平坦度進行測定，最后使用厚度測定裝置對硅片厚度測定；
第三步，硅片正面最終修整，具體為在硅片背面涂覆粘結(jié)劑，首先將硅片粘接在陶瓷板上，去除硅片正面的腐蝕層，然后使用鏟刀使硅片脫離陶瓷板，并清洗去除硅片背面的粘結(jié)劑和顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片雙面拋光工藝，其特征在于，所述粘結(jié)劑為蠟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片雙面拋光工藝，其特征在于，所述鏟刀的材質(zhì)為特氟龍。
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