[發明專利]一種高純度、高致密度氧化鎂陶瓷及其制備方法

有效

• 申請號: 201310539150.5
• 申請日: 2013-11-04
• 公開（公告）號: CN103601473A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 宋春軍;秦曉英;辛紅星;張建;李地;劉永飛;李亮亮
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: C04B35/04
• 分類號: C04B35/04;C04B35/622
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種高純度、高致密度氧化鎂陶瓷，其特征在于，該氧化鎂陶瓷采用高純度輕質氧化鎂為原料，高純度的五氧化二釩、氧化釔、氧化鋁以及二氧化鈦的的一種或多種混合為添加劑制備而成，其中氧化鎂含量≥93wt%、相對致密度≥97%，添加劑含量為0-7wt%，氧化鈣、氧化鐵等雜質總含量<1wt%。

2.根據權利要求1所述的一種高純度、高致密度氧化鎂陶瓷，其特征在于，所述添加劑的組成成分如下：0-3wt%的五氧化二釩、0-6wt%的氧化釔、0-5wt%的氧化鋁、0-4wt%的二氧化鈦。

3.一種如權利要求1所述的高純度、高致密度氧化鎂陶瓷的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）將原料粉體按照一定的比例組成稱量，混合均勻，按照每1g混合粉體加入0.5-3mL的液體球磨介質，濕磨混料2-40小時，得到均勻混合的陶瓷漿料；

（2）將所述陶瓷漿料進行干燥、造粒，獲得流動性好、顆粒尺寸為5-500μm、堆積密度，0.5-1.5g/cm³的陶瓷粉體，所述干燥、造粒工藝可以選用噴霧干燥方法，也可采用加壓、成型再破碎的工藝及其他造粒工藝；

（3）將所得陶瓷粉體進行成型獲得陶瓷坯體，通常采用冷等靜壓在100-300MPa壓力下保壓1-20分鐘成型，并按照需要進行預加工處理；

（4）將所述陶瓷坯體在高溫燒結爐中按照特定燒結制度高溫燒結獲得氧化鎂陶瓷。

4.根據權利要求3所述的高純度、高致密度氧化鎂陶瓷的制備方法，其特征在于，所述干燥、造粒工藝可以選用噴霧干燥方法，也可采用加壓、成型再破碎的工藝及其他造粒工藝。

5.根據權利要求3所述的高純度、高致密度氧化鎂陶瓷的制備方法，其特征在于，所述燒結制度為：以1℃/min-20℃/min的升溫速率從室溫升溫到400-600℃保溫0-100分鐘，以1℃/min-15℃/min的升溫速率升溫到?800℃-1200℃，保溫0-100分鐘，以1℃/min-10℃/min的升溫速率升溫到1500-1800℃保溫1-10小時，然后以1℃/min-20℃/min的降溫速率冷卻至室溫。