[發明專利]單晶硅片晶圓的化學清洗工藝

在審

• 申請號: 201310538580.5
• 申請日: 2013-11-05
• 公開（公告）號: CN103617946A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 夏澤軍
• 申請（專利權）人: 昆山宏凌電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341
• 代理人: 李濤

1.一種單晶硅片晶圓的化學清洗工藝，其包括：

①?除脂：分別在三氯乙烯溶液和異丙醇中除脂；

②?氧化：在H₂SO₄∶H₂O₂的體積比為1∶1的溶液中氧化；

③?刻蝕：在HF∶C₂H₅OH的體積比1∶10的溶液中刻蝕。

2.如權利要求1所述的化學清洗工藝，其特征在于：在所述步驟1）包括：

在三氯乙烯溶液中旋轉清洗3次，每次3?min；

在異丙醇中旋轉清洗3次，每次3?min；

在去離子水漂洗3次；高純氮氣吹干。

3.如權利要求1所述的化學清洗工藝，其特征在于：在所述步驟2）包括：

在H₂SO₄∶H₂O₂體積比為1∶1的溶液中氧化3?min；

在70℃溫水中漂洗3?min；

在去離子水中漂洗2次，每次3?min。

4.如權利要求1所述的化學清洗工藝，其特征在于：在所述步驟3）包括：

在HF∶C₂H₅OH體積比為1∶10的溶液中刻蝕3?min；

在C₂H₅OH中漂洗3次，每次3?min；

用高純氮氣吹干。

5.如權利要求1所述的化學清洗工藝，其特征在于：還包括步驟4）：在化學清洗后，把單晶硅片晶圓快速轉入真空系統。

6.如權利要求1所述的化學清洗工藝，其特征在于：還包括步驟4）：在化學清洗后，把單晶硅片晶圓快速轉入無水C₂H₅OH中。