[發(fā)明專利]一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310538538.3 | 申請日: | 2013-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103543782A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州貝克微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/569 | 分類號: | G05F1/569;H01L27/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215011 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 對接 保護(hù) cmos 中的 電壓 調(diào)節(jié)器 | ||
1.一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:一個用于對接保護(hù)帶CMOS集成電路芯片結(jié)構(gòu)的限壓電路,可能會工作在電源電壓超過上述結(jié)構(gòu)擊穿電壓的電壓值下,上述對接保護(hù)帶結(jié)構(gòu)包括相對重?fù)诫s的P型和N型區(qū)域,它們分別位于輕摻雜襯底材料中,用來防止上述輕摻雜襯底材料中的表面反型層,上述相對重?fù)诫sP型和N型區(qū)域相互毗鄰,上述電路芯片包括:一個具有第一和第二電極的獨立齊納二極管,其反向偏置擊穿電壓大致等于上述對接保護(hù)帶結(jié)構(gòu)的擊穿電壓;將上述第一二極管電極耦合到上述電源第一端的方法;用于將上述第二二極管電極耦合到上述電源第二端上的電壓降;一個具有上述導(dǎo)電類型的重?fù)诫s集電極和發(fā)射極區(qū)域的橫向晶體管,重?fù)诫s集電極和發(fā)射極區(qū)域位于上述芯片表面旁一定間隔處,并且由具有相反導(dǎo)電類型的基極區(qū)隔開,上述發(fā)射極耦合在上述第二二極管電極上,上述基極和集電極共同耦合在上述芯片結(jié)構(gòu)的工作電路上。
2.根據(jù)權(quán)力要求1所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:產(chǎn)生上述電壓降的器件包括一個芯片外的電阻。
3.根據(jù)權(quán)力要求1所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:產(chǎn)生上述電壓降的器件包括一個芯片內(nèi)的電阻。
4.根據(jù)權(quán)力要求1所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:上述電路進(jìn)一步包括一個耦合在上述橫向晶體管基極、集電極和上述齊納二極管第一電極間的旁路電容。
5.根據(jù)權(quán)力要求1所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:一個整合了CMOS對接保護(hù)帶控制電路的單片機(jī),一個將P溝道和N溝道結(jié)合的晶體管,其特點是具有毗鄰的重?fù)诫s的P型和N型區(qū)域,用來防止上述電路中的表面反型層,上述電路包括:一個具有第一導(dǎo)電類型和主表面的半導(dǎo)體襯底;一塊位于上述結(jié)構(gòu)中的具有相反導(dǎo)電類型的區(qū)域;一個具有第一和第二電極的齊納二極管,并且與上述相反導(dǎo)電類型區(qū)域內(nèi)的保護(hù)帶的材料相同;一個與上述相反導(dǎo)電類型區(qū)域毗鄰的橫向晶體管,上述橫向晶體管具有一個與上述齊納二極管第一電極材料相同的基極區(qū),與上述齊納二極管第一電極材料相同的集電極,緊緊地靠著發(fā)射極,因此在緊靠的發(fā)射極和集電極間產(chǎn)生了一個橫向基極區(qū),與上述齊納二極管第二電極材料相同的基極連接位于上述集電極周圍;用于縮短到上述集電極的基極連接的端子;將上述晶體管發(fā)射極耦合到上述齊納二極管第二電極的端子;將上述齊納二極管耦合到反向偏置電位源上的端子。
6.根據(jù)權(quán)力要求5所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:上述集成電路進(jìn)一步包括一塊上述相反導(dǎo)電類型的區(qū)域,延伸至上述橫向晶體管集電極以下的襯底中。
7.根據(jù)權(quán)力要求6所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:上述襯底具有N型導(dǎo)電性,上述相反導(dǎo)電區(qū)域是一個CMOS?P阱,上述齊納二極管第一電極材料為P溝道晶體管源極和漏極材料,上述齊納二極管第二電極為N溝道晶體管源極和漏極材料。
8.根據(jù)權(quán)力要求7所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:上述電路進(jìn)一步包括將上述齊納二極管第一電極材料耦合到工作電位源負(fù)極端的端子,將上述齊納二極管第二電極材料耦合到上述工作電位源正極端的端子。
9.根據(jù)權(quán)力要求8所述的一種對接保護(hù)帶CMOS中的齊納電壓調(diào)節(jié)器,其特征是:上述最后指定的端子包括一個電阻。
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