[發明專利]固態成像裝置及其制造方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201310537776.2 | 申請日: | 2010-02-03 |
| 公開(公告)號: | CN103531604A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發明(設計)人: | 丸山康;渡邊一史 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態 成像 裝置 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種固態成像裝置,包括:
形成有多個受光部的襯底,所述襯底的背面側作為光照射面;
形成在所述襯底的表面側的布線層;以及
遮光部,所述遮光部由溝槽部和被掩埋在所述溝槽部內的遮光膜構成,所述溝槽部形成在相鄰的受光部之間,并從所述襯底的背面側形成至期望的深度處,
所述相鄰的受光部之間形成有用于將相鄰的受光部之間電氣分離的元件分離區域,所述元件分離區域由預定的雜質區域構成,
所述遮光部形成在所述元件分離區域內。
2.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,
所述遮光部貫穿所述襯底而被形成。
3.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,
在所述溝槽部和被掩埋在溝槽部內的遮光膜之間,形成有高介電常數材料膜。
4.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,
所述遮光膜由鋁或鎢構成。
5.如權利要求1所述的固態成像裝置,其中,
所述高介電常數材料膜由氧化鉿、五氧化二鉭或二氧化鋯構成。
6.一種固態成像裝置的制造方法,包括以下步驟:
在襯底的表面區域形成多個受光部以及期望的雜質區域;
在所述襯底的表面側形成布線層,所述布線層由經由層間絕緣膜而形成的多層布線構成;
形成從所述襯底的背面側到達至期望深度的溝槽部;
在形成于所述襯底中的溝槽部形成掩埋膜;以及
在去除所述掩埋膜之后向所述溝槽部中掩埋遮光膜,
所述溝槽部形成為用于將相鄰的受光部之間電氣分離的元件分離區域,所述元件分離區域由預定的雜質區域構成,
7.如權利要求6所述的固態成像裝置的制造方法,其中,
所述溝槽部貫穿所述襯底而被形成。
8.如權利要求6所述的固態成像裝置的制造方法,其中,
在所述溝槽部和被掩埋在溝槽部內的遮光膜之間,形成有高介電常數材料膜。
9.如權利要求6所述的固態成像裝置的制造方法,其中,
所述遮光膜由鋁或鎢構成。
10.如權利要求6所述的固態成像裝置的制造方法,其中,
所述高介電常數材料膜由氧化鉿、五氧化二鉭或二氧化鋯構成。
11.一種電子設備,包括:
光學透鏡;
固態成像裝置,所述固態成像裝置包括:形成有多個受光部的襯底,所述襯底的背面側作為光照射面;形成在所述襯底的表面側的布線層;以及遮光部,所述遮光部由溝槽部和被掩埋在所述溝槽部內的遮光膜構成,所述溝槽部形成在相鄰的受光部之間,并從所述襯底的背面側形成至期望的深度處,所述相鄰的受光部之間形成有用于將相鄰的受光部之間電氣分離的元件分離區域,所述元件分離區域由預定的雜質區域構成,所述遮光部形成在所述元件分離區域,所述光學透鏡所收集的光被入射到該固態成像裝置,以及
信號處理電路,其處理從所述固態成像裝置輸出的的輸出信號。
12.如權利要求11所述的電子設備,其中,
所述遮光部貫穿所述襯底而被形成。
13.如權利要求11所述的電子設備,其中,
在所述溝槽部和被掩埋在溝槽部內的遮光膜之間,形成有高介電常數材料膜。
14.如權利要求11所述的電子設備,其中,
所述遮光膜由鋁或鎢構成。
15.如權利要求11所述的電子設備,其中,
所述高介電常數材料膜由氧化鉿、五氧化二鉭或二氧化鋯構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





