[發明專利]固態成像裝置及其制造方法以及電子設備有效
| 申請號： | 201310537765.4 | 申請日： | 2010-02-03 |
| 公開（公告）號： | CN103545335A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 丸山康;渡邊一史 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 固態 成像 裝置 及其 制造 方法 以及 電子設備 | ||
1.一種固態成像裝置的制造方法，包括以下步驟：
在襯底的表面區域形成多個受光部以及期望的雜質區域，并在背面區域形成蝕刻阻擋層；
在所述襯底的表面側形成布線層，所述布線層由經由層間絕緣膜而形成的多層布線構成；
從所述襯底的背面側將所述襯底蝕刻至所述蝕刻阻擋層；
形成從所述襯底的背面側到達至期望深度的溝槽部；
在形成于所述襯底中的溝槽部形成掩埋膜，并將所述掩埋膜作為阻擋而將所述襯底弄??；以及
在去除所述掩埋膜之后向所述溝槽部中掩埋遮光膜。
2.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
所述襯底的背面區域由未摻雜硅層構成，所述蝕刻阻擋層由p型高濃度雜質層構成。
3.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
所述掩埋膜由氧化硅膜或氮化硅膜形成。
4.如權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
所述遮光部貫穿所述襯底而被形成。
5.如權利要求3所述的固態成像裝置，其中，
在所述溝槽部和被掩埋在溝槽部內的遮光膜之間，形成有高介電常數材料膜。
6.如權利要求3所述的固態成像裝置，其中，
所述遮光膜由鋁或鎢構成。
7.如權利要求3所述的固態成像裝置，其中，
所述高介電常數材料膜由氧化鉿、五氧化二鉭或二氧化鋯構成。
8.一種固態成像裝置的制造方法，包括以下步驟：
在襯底的表面區域形成多個受光部以及期望的雜質區域，并在背面區域形成蝕刻阻擋層；
在所述襯底的表面側形成布線層，所述布線層由經由層間絕緣膜而形成的多層布線構成；
從所述襯底的背面側將所述襯底蝕刻至所述蝕刻阻擋層；
形成從所述襯底的背面側到達至期望深度的溝槽部；
在形成于所述襯底中的溝槽部形成掩埋膜，并將所述掩埋膜作為阻擋而將所述襯底弄??；以及
在去除所述掩埋膜之后在所述溝槽部形成高介電常數材料膜。
9.如權利要求8所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
在向所述溝槽部中掩埋所述高介電常數材料膜之后，進而掩埋遮光膜。
10.如權利要求8所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
所述襯底的背面區域由未摻雜硅層構成，所述蝕刻阻擋層由p型高濃度雜質層構成。
11.如權利要求8所述的固態成像裝置，其中，
所述遮光膜由鋁或鎢構成。
12.如權利要求8所述的固態成像裝置，其中，
所述高介電常數材料膜是防止針扎偏離的膜，由氧化鉿、五氧化二鉭或二氧化鋯構成。
13.如權利要求8所述的固態成像裝置的制造方法，其中，
所述溝槽部貫穿所述襯底而被形成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
