[發(fā)明專(zhuān)利]快速以讀代寫(xiě)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310537686.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103531246A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 亞歷山大;付妮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安華芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C29/42 | 分類(lèi)號(hào): | G11C29/42 |
| 代理公司: | 西安智邦專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 楊引雪 |
| 地址: | 710055 陜西省西安*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 快速 代寫(xiě) 存儲(chǔ)器 糾錯(cuò) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法,具體涉及一種快速以讀代寫(xiě)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法。
背景技術(shù)
ECC(Error?Correction?Code糾錯(cuò)碼)被用來(lái)檢測(cè)和糾正出錯(cuò)的數(shù)據(jù)。資料顯示有很多種算法可支持ECC,例如最常用的漢明碼(Hamming?Code),8位(bit)數(shù)據(jù)需要4位監(jiān)督位(parity?bit),64位數(shù)據(jù)需要7位監(jiān)督位??赏ㄟ^(guò)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度以及所需要檢測(cè)和糾正的位數(shù)選取合適的算法。
對(duì)于不同的DDR結(jié)構(gòu)(DDR1/2/3),典型的數(shù)據(jù)讀取(streamin-and-out)預(yù)取數(shù)據(jù)長(zhǎng)度有32位、64位以及128位。一種合理的折中解決辦法可以對(duì)64位數(shù)據(jù)使用7位或者8位的監(jiān)督位(根據(jù)不同的ECC算法),如圖1和圖2所示。
但對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)要實(shí)現(xiàn)檢測(cè)和糾正的功能并不是那么簡(jiǎn)單,因?yàn)镈M數(shù)據(jù)屏蔽(Data?Mask)的存在。也就是說(shuō),在把數(shù)據(jù)從外部寫(xiě)入存儲(chǔ)單元的時(shí)候,某一個(gè)或者多個(gè)字節(jié)(byte)可能會(huì)被屏蔽掉,使之不會(huì)改寫(xiě)存儲(chǔ)單元里已經(jīng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。這就使得ECC的編碼過(guò)程不能順利進(jìn)行去產(chǎn)生監(jiān)督位,如圖3所示。為了解決這個(gè)問(wèn)題,最簡(jiǎn)單的方法是把64位數(shù)據(jù)分成8組,每組8位數(shù)據(jù)(一個(gè)字節(jié)),剛好是DM的屏蔽長(zhǎng)度,這樣就不會(huì)受到DM的影響。但是由于每8位數(shù)據(jù)需要4位的監(jiān)督位,那就會(huì)導(dǎo)致整個(gè)存儲(chǔ)陣列的面積需要增加50%,使得DRAM的成本極大增加,所以需要解決DM帶來(lái)的問(wèn)題。
基于上述問(wèn)題,技術(shù)人員開(kāi)發(fā)了以讀代寫(xiě)的處理方法,圖4表示了傳統(tǒng)的以讀代寫(xiě)的過(guò)程。當(dāng)時(shí)鐘和寫(xiě)使能有效,未屏蔽的數(shù)據(jù)將會(huì)傳遞到ECC的編碼電路,時(shí)間為tA。當(dāng)有數(shù)據(jù)屏蔽發(fā)生時(shí),數(shù)據(jù)屏蔽首先觸發(fā)讀使能信號(hào),需要時(shí)間tB,讀使能信號(hào)使得被屏蔽數(shù)據(jù)相應(yīng)的存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)被讀出,需要時(shí)間tC。在圖4中,“數(shù)據(jù)A”表示未被屏蔽的數(shù)據(jù),“數(shù)據(jù)B”表示從存儲(chǔ)陣列中讀出的數(shù)據(jù)。由于tA與tB+tC的時(shí)間會(huì)有很大不同,使得能夠用于編碼的有效數(shù)據(jù)時(shí)間減少,有可能會(huì)對(duì)ECC的編碼及寫(xiě)入過(guò)程造成影響,尤其是高頻下影響很大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種快速以讀代寫(xiě)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法,主要解決了現(xiàn)有以讀代寫(xiě)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法在處理存在數(shù)據(jù)屏蔽和不存在數(shù)據(jù)屏蔽兩種不同的工作條件下響應(yīng)時(shí)間差別較大,會(huì)對(duì)ECC的編碼及寫(xiě)入過(guò)程造成影響的問(wèn)題。
本發(fā)明的具體技術(shù)解決方案如下:
該快速以讀代寫(xiě)的存儲(chǔ)器糾錯(cuò)方法,包括以下步驟:
1]寫(xiě)使能信號(hào)被觸發(fā)時(shí),不判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽而直接觸發(fā)讀使能信號(hào);
2]若存在數(shù)據(jù)屏蔽,外部數(shù)據(jù)未被屏蔽的部分寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,然后再通過(guò)讀出電路傳輸至ECC進(jìn)行處理;外部數(shù)據(jù)被屏蔽的部分不寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,而在存儲(chǔ)陣列中讀出與被屏蔽的外部數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù),然后通過(guò)讀出電路傳輸至ECC進(jìn)行處理;上述外部數(shù)據(jù)未被屏蔽的部分和被屏蔽的部分的讀出電路同步傳輸;
3]若不存在數(shù)據(jù)屏蔽,外部數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,然后再通過(guò)讀出電路傳輸至ECC進(jìn)行處理。
上述步驟1中,觸發(fā)讀使能信號(hào)具體是當(dāng)時(shí)鐘和寫(xiě)使能有效的同時(shí)讀使能有效,由寫(xiě)使能去觸發(fā)讀使能信號(hào)。
當(dāng)不進(jìn)行判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽而默認(rèn)為存在數(shù)據(jù)屏蔽時(shí),方法如下:
1]寫(xiě)使能信號(hào)被觸發(fā)時(shí),不判斷是否存在數(shù)據(jù)屏蔽而直接觸發(fā)讀使能信號(hào);
2]存在數(shù)據(jù)屏蔽,外部數(shù)據(jù)未被屏蔽的部分寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,然后再通過(guò)讀出電路傳輸至ECC進(jìn)行處理;外部數(shù)據(jù)被屏蔽的部分不寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列,而在存儲(chǔ)陣列中讀出與被屏蔽的外部數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù),然后通過(guò)讀出電路傳輸至ECC進(jìn)行處理;上述外部數(shù)據(jù)未被屏蔽的部分和被屏蔽的部分的讀出電路同步傳輸。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
1.減少了tB的時(shí)間去進(jìn)行數(shù)據(jù)準(zhǔn)備,而在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中,這部分電路將會(huì)工作在較高頻率,減少時(shí)間會(huì)對(duì)讀寫(xiě)時(shí)序和工作頻率有改善。
2.使得能夠用于ECC編碼的有效數(shù)據(jù)時(shí)間增大。
3.減少了額外電路的使用,降低系統(tǒng)出錯(cuò)的幾率。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有ECC外部數(shù)據(jù)寫(xiě)入流程圖;
圖2為現(xiàn)有ECC外部數(shù)據(jù)讀出流程圖;
圖3為現(xiàn)有帶數(shù)據(jù)屏蔽的ECC外部數(shù)據(jù)寫(xiě)入流程圖;
圖4為傳統(tǒng)的以讀代寫(xiě)的流程圖;
圖5為本發(fā)明原理圖;
圖6為本發(fā)明未屏蔽數(shù)據(jù)處理示意圖;
圖7為本發(fā)明屏蔽數(shù)據(jù)處理示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的原理如下:
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