[發明專利]監控生產工藝的方法及生產工藝監控裝置有效
| 申請號: | 201310537592.6 | 申請日: | 2013-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN103972123B | 公開(公告)日: | 2018-03-27 |
| 發明(設計)人: | 丁榮載 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司11286 | 代理人: | 薛義丹,劉燦強 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 監控 生產工藝 方法 裝置 | ||
1.一種監控生產工藝的方法,所述方法包括:
通過使用測量裝置分析等離子體發射光的發射強度來產生測量數據,當生產工藝裝置中的等離子體氣體由對應于高能態的能級變成對應于低能態的能級時產生所述等離子體發射光;
基于測量數據產生補償值,所述補償值通過抵消由于生產工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導致的靈敏度的變化而產生;
基于補償值監控生產工藝,
其中,將補償值確定為歸一化值,所述歸一化值通過基于等離子體發射光關于預設波段或整個波段的發射強度的平均值和標準偏差將等離子體發射光的發射強度歸一化而產生。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,監控生產工藝包括:
基于補償值執行端點檢測操作。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,監控生產工藝包括:
基于補償值對生產工藝裝置執行泄漏檢測操作。
4.一種監控生產工藝的方法,所述方法包括:
通過將生產工藝裝置中的氣體注入將所述氣體轉變為等離子體氣體的產生裝置來產生等離子體氣體;
通過使用測量裝置分析等離子體發射光的發射強度來產生測量數據,當等離子體氣體由對應于高能態的能級變成對應于低能態的能級時產生所述等離子體發射光;
基于測量數據產生補償值,所述補償值通過抵消由于生產工藝裝置和測量裝置的污染或測量裝置的測量位置導致的靈敏度的變化而產生;
基于補償值監控生產工藝,
其中,將補償值確定為歸一化值,所述歸一化值通過基于等離子體發射光關于預設波段或整個波段的發射強度的平均值和標準偏差將等離子體發射光的發射強度歸一化而產生。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,監控生產工藝包括:
基于補償值執行端點檢測操作。
6.根據權利要求4所述的方法,其中,監控生產工藝包括:
基于補償值對生產工藝裝置執行泄漏檢測操作。
7.一種生產工藝監控裝置,所述生產工藝監控裝置包括:
測量單元,被配置為通過分析等離子體發射光的發射強度來產生測量數據,當生產工藝裝置中的等離子體氣體從對應于高能態的能級變成對應于低能態的能級時產生所述等離子體發射光;
控制單元,被配置為基于測量數據產生補償值并基于補償值監控生產工藝,所述補償值通過抵消由于生產工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導致的靈敏度的變化而產生,
控制單元將補償值確定為歸一化值,所述歸一化值通過基于等離子體發射光關于預設波段或整個波段的發射強度的平均值和標準偏差將等離子體發射光的發射強度歸一化而產生。
8.根據權利要求7所述的裝置,所述生產工藝監控裝置還包括:
輸出單元,被配置為顯示從控制單元輸出的監控結果。
9.一種生產工藝監控裝置,包括:
產生單元,被配置為接收生產工藝裝置的氣體,并基于生產工藝裝置的氣體產生等離子體氣體;
測量單元,被配置為通過分析等離子體發射光的發射強度來產生測量數據,當產生單元的等離子體氣體從對應于高能態的能級變成對應于低能態的能級時產生所述等離子體發射光;
控制單元,被配置為基于測量數據產生補償值并基于補償值監控生產工藝,所述補償值通過抵消由于生產工藝裝置和測量單元的污染或測量單元的測量位置導致的靈敏度的變化而產生,
控制單元將補償值確定為歸一化值,所述歸一化值通過基于等離子體發射光關于預設波段或整個波段的發射強度的平均值和標準偏差將等離子體發射光的發射強度歸一化而產生。
10.根據權利要求9所述的裝置,所述生產工藝監控裝置還包括:
輸出單元,被配置為顯示從控制單元輸出的監控結果。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





