[發(fā)明專利]制造具有低電阻裝置接觸的集成電路的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310537422.8 | 申請日： | 2013-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN103855080B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 趙烈;林萱;阿魯納恰拉姆·媧麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 具有 電阻 裝置 接觸 集成電路 方法 | ||
1.一種制造具有裝置接觸的集成電路的方法，該方法包括：
沉積絕緣材料的ILD層覆于包含金屬硅化物區(qū)域的裝置區(qū)域上；
蝕刻該ILD層以形成定義接觸開口的側(cè)壁，該接觸開口穿過該ILD層而形成，并暴露出該金屬硅化物區(qū)域；
形成襯墊覆于該側(cè)壁和該金屬硅化物區(qū)域上，以及在該接觸開口中定義內(nèi)部凹洞；
形成覆于該襯墊以及至少部分地填充該內(nèi)部凹洞的銅層，其中，該銅層實質(zhì)上在鄰接該ILD層的頂部表面橫向地窄化該接觸開口；
回流該銅層而將某些銅重新分布至該內(nèi)部凹洞的底部，以形成部分地填充該內(nèi)部凹洞的經(jīng)回流銅層；
蝕刻該經(jīng)回流銅層以暴露出該襯墊的上部，并且留下銅部分設(shè)置在該內(nèi)部凹洞的該底部；以及
在該銅部分上無電沉積銅，以填充該內(nèi)部凹洞的余留部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成該襯墊包括沉積阻障層覆于該側(cè)壁和該金屬硅化物區(qū)域上，且其中，該阻障層包括氮化鈦及/或氮化鉭。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，沉積該阻障層包括使用化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成該阻障層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，沉積該阻障層包括形成具有1至10納米的厚度的該阻障層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成該襯墊包括沉積實質(zhì)純的鈦覆于該側(cè)壁和該金屬硅化物區(qū)域上以形成導(dǎo)電層，以及其中，沉積該阻障層包括沉積該阻障層覆于該導(dǎo)電層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，沉積該實質(zhì)純的鈦包括使用物理氣相沉積工藝形成該導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，沉積該實質(zhì)純的鈦包括形成具有1至10納米的厚度的該導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，形成該襯墊包括沉積核心層覆于該阻障層上，以及其中，該核心層包括鎢及/或釕。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，沉積該核心層包括使用化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝形成該核心層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，沉積該核心層包括形成具有1至10納米的厚度的該核心層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：
在無電沉積銅后對設(shè)置在該內(nèi)部凹洞中的銅進(jìn)行退火，以形成經(jīng)退火的銅。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，對銅進(jìn)行退火包括將設(shè)置在該內(nèi)部凹洞中的銅暴露于100至400℃的溫度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，對銅進(jìn)行退火包括將設(shè)置在該內(nèi)部凹洞中的銅暴露于該溫度30分鐘至2小時的時間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括：
使用化學(xué)機(jī)械平坦化工藝移除該襯墊的最上部以及鄰接該襯墊的該最上部的該經(jīng)退火的銅的多余部分。
15.一種制造具有裝置接觸的集成電路的方法，該方法包括：
形成絕緣材料的ILD層覆于包含金屬硅化物區(qū)域的裝置區(qū)域上；
蝕刻該ILD層以形成定義接觸開口的側(cè)壁，該接觸開口穿過該ILD層而形成，并暴露出該金屬硅化物區(qū)域；
形成襯墊覆于該側(cè)壁和該金屬硅化物區(qū)域上，以及在該接觸開口中定義內(nèi)部凹洞；
沉積銅晶種層覆于該襯墊上，其中，該銅晶種層的沉積實質(zhì)上在鄰接該ILD層的頂部表面橫向地窄化該接觸開口；
回流該銅晶種層而將某些銅重新分布至該內(nèi)部凹洞的底部，以形成部分地填充該內(nèi)部凹洞的經(jīng)回流的銅晶種層；
蝕刻該經(jīng)回流的銅晶種層以暴露出該襯墊的上部，并且留下銅部分設(shè)置在該內(nèi)部凹洞的該底部；以及
在該銅部分上無電沉積銅，以填充該內(nèi)部凹洞的余留部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，回流該銅晶種層包括暴露該銅晶種層于200至300℃的溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
