[發明專利]一種大電流碳化硅SBD/JBS功率芯片結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201310537220.3
• 申請日: 2013-11-04
• 公開（公告）號: CN103579016B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 李誠瞻;吳煜東;劉可安;周正東;史晶晶;楊勇雄;吳佳;蔣華平;趙艷黎
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L23/31
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙)43008
• 代理人: 趙洪,周長清

1.一種大電流碳化硅SBD/JBS功率芯片結構的制造方法，其特征在于，步驟為：

（1）器件的形成及第一接觸層制作：在每個器件上形成暴露的第一接觸層用于電測試，每個器件上的第一接觸層不與其他器件形成任何接觸；

（2）電測試：利用電測試分析這些暴露出的器件以區分元件的好壞，將通過電測試的元件稱為好的元件，其接觸面稱為好的元件接觸面；不能通過電測試的器件稱為壞的元件，其接觸面稱為壞的元件接觸面，并且電腦自動記錄好的元件接觸面和壞的元件接觸面的分布，同時將此信息傳送至步進式光刻機；

（3）金屬層的淀積：在器件上淀積金屬層使其完全覆蓋器件的表面；

（4）制作刻蝕掩膜版：涂敷光刻膠，根據傳送至步進式光刻機的記錄信息光刻好的元件以外的光刻膠，并顯影使好的元件上金屬層以外區域的金屬層暴露出來；

（5）刻蝕：利用刻蝕氣體或刻蝕液刻蝕金屬層，好的元件上金屬層因為有刻蝕掩膜版的保護而留下來，而其余的則暴露出來被刻蝕掉，最后把所有好的元件接觸面引出；

（6）壓接式封裝：利用銅蓋將所有好的元件上金屬層連接，并通過第一鉬片扣合完成以并聯所有好的元件。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一接觸層的厚度為0.1～2μm。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金屬層的厚度為8～20μm。